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第 卷第 期 功能材料与器件学报
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年 月
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文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##( * # % ## ( % #
注入 型 单晶的特性研究
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，
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刘力锋 陈诺夫 尹志岗 杨 霏 周剑平 张富强
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（ 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京
0 ###123
’0 中国科学院力学研究所 国家微重力实验室，北京 ###12 ）
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摘要：采用离子能量为 ，剂量为 的离子注入技术，室温下往 型 单晶
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衬底注入 : 离子，注入后的样品进行 热处理。利用 射线衍射法) = * 和原子力显微
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（ ） ) *
镜 ?@+ 对注入后的样品进行了结构和形貌分析，俄歇电子能谱法 ?AB 进行了组分分析，交变
（ ）
梯度样品磁强计 ?-+ 进行了室温磁性测量。结果表明原位注入样品的结构是非晶的，热处理后
发生晶化现象。没有在样品中观察到新相形成。 离子较深的注入进 衬底，在 处
+, -. ’# ,9 +,
原子百分比浓度达到最高为 。热处理后的样品表现出了室温铁磁特性。
1C
关键词：离子注入 锗 铁磁性 稀磁半导体
3 3 3
中图分类号
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