高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能的研究.pdfVIP

2010全国荷电粒-了源、粒子束学术会议 高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能的研究 牟晓东1，牟宗信1，王春1，臧海荣1，刘冰冰1，董闯1 6三束材料改性教育部重点实验室(大连理工大学)，物理与光电工程学院大连116024． 摘要：高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)I妇于具有溅射粒子离化率高，可以沉积致密、高性能 薄膜，作为一种新技术已经在国外广泛研究。本文采用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术 (HPPUMS)$IJ备了一系列CrN。薄膜，采用原子力显微镜(AFM)和×射线衍射(XRD)对所制备不同 厚度的薄膜表面形貌、微观结构进行了分析，测定了薄膜的厚度、硬度，并对薄膜的摩擦学性 能进行了研究，与中频磁控溅射(MFMS)技术制备的CrNx进行了比较。结果表明，使用高功率 脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)能够制备致密的CrNx薄膜。薄膜具有较好的综合性能：较 高硬度、较高结合强度和低摩擦系数。 关键词：薄膜，气相沉积，脉冲功率，CrNx，硬度 0前言 CrNx作为一种新型硬质薄膜材料，具有高的硬度、良好的抗氧化性能及环境适应性【l】． 因此，它是最有希望的氮化钛涂层替代材料之一12J。通常采用离子束辅助沉积【3】、反应磁控 7】技术来制备氮 溅射【4J及电弧离子镀【5J等物理气相沉积(P、∞)技术及化学气相沉积(CVD)【6t 化铬，各种制备技术各有其特点。 磁控溅射技术广泛应用于薄膜制备领域【8】。但传统的磁控溅射技术溅射金属时，多以 原子状态存在，且离化率较低。高金属离化率在沉积薄膜时有很多优点【9】，能够提高薄膜质 量，尤其是对复杂形状工件的沉积、反应的控制、沉积温度的降低、沉积材料到不同区域的 导向等有重要意义。为了增加溅射金属粒子的离化率，最近几十年发展了多项离化的物理气 相沉积技术0．PVD)t引，其中高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其较高的金属离化率在近几年受 到广泛关注。高功率脉冲磁控溅射技术具有较高的脉冲峰值功率和较低的脉冲占空比，能够 产生高溅射金属离化率。关于高功率磁控溅射研究，最近几年已成为国际上的热点。 最近通过汤森放电击穿诱发HPPMS放电形成较高的脉冲电流峰值，采用与磁控靶同轴的 线圈控制击穿电压和脉冲频率，形成高功率脉冲非平衡磁控溅射沉积技术(HPPUMS)，本文采 用此技术在单晶Si基底上制备CrNx薄膜，并初步研究了HPPUMS技术制备的CrNx薄膜的硬 度、摩擦系数等力学性能。与中频磁控溅射技术相比较，结果表明采用高功率脉冲磁控溅射 技术制备的氮化铬薄膜具有良好的综合性能。 1实验方法 磁控溅射沉积系统可以有多种设计形式。本文采用一个磁控溅射靶和一个激励电流可 调的电磁线圈构成，结构如图l所示，电磁线圈的激励电流在0．8A之间，所以等离子体的空 间分布状况是可以调节的；外接直流耦合高功率脉冲电源，由此构成高功率脉冲非平衡磁控 溅射系统，其击穿电压的范围是300．1000V，脉冲电流峰值大于lkA／cm2，脉冲放电功率峰 值超过0．9MW，功率密度峰值达到llkW／em2以上，脉冲频率小于40Hz，电流脉冲的半高宽 为3．6ms，等离子体密度超过lOl9m·3，离化率达至U20％以上。系统的极限真空度为3x10一Pa； 磁控溅射靶为纯度99．95％的铬靶，其直径为10cm：放电气体为～和N2的混合气体，其纯度 基金项目：国家自然科学基金资助项辽宁省教育厅资助科研项目 作者简介：牟晓东。男．硕士生，wuzulove@163．com 289 2010全田荷电粒子谭、牲f京学术台 记为M200、MS00，与其对比的沉积试样在频率为40kHz的r}一频电源上沉积完成，沉积功率 930w，其它沉积条件相同．沉秘厚度为500rim，标记为ZS00。 敲模式测量薄膜形貌．用原r力显微镜数据处理软件计算表面均方根租糙度；采用r．gaku 为45 型划痕试验机测定薄膜的结台强度：采刷DMH-2LS超品微硬度仪测试薄膜的努氏硬度m， eli2000型。维形貌仪测试薄膜的厚度：采用03摩擦磨损 硬度取3改的甲均值：采用Talysuro 试验帆测试薄膜的摩