CMOS图像传感器基础与的应用.pdfVIP

1.图像传感器的历史 ——从真空摄像管到 CCD/CMOS 图像传感器 1.1 图像传感器的诞生 在图像传感器出现前，胶片是唯一记录保存图像的工具，而胶片所保存的图像在远距离 传输以及后期处理方面存在着难以逾越的障碍。而图像传感器的目的是将拍摄的图像转化为 电信号进行远距离传输、保存以及数字化保存和后期处理。那么图像传感器又是何时出现在 人们生活中的呢？ 最早登场的是 1923 年由 V.K.兹沃雷金发明的光电摄像管，它是利用在真空中可自由操 作电子运动的性质制作的。如图 1.1 所示，在真空管中放置的云母板上面涂抹具有光电效应 的铯（Cs ），光线通过镜头在云母板上成像，此处产生的电荷，经等死放出的电子书进行扫 描，取出信号电流。 此后，一个又一个的改良感光度的摄像管被发明，如超正析摄像管（1946 年），光导摄 像管，硒砷碲摄像管，雪崩倍增靶（HARP ）摄像管等，逐渐担任产生电视图像的角色。 从原理可知，摄像管无法做到接通电源后立即工作，且工作电压高，功耗大，因燃烧寿 命短等缺点。在以后的日子里，摄像管会被固态图像传感器取代。 1.2 固态图像传感器（Solid-State Image Sensor） 用于晶体管或者 IC 得 Si （硅）等半导体材料，具有将接受的光转换成电的光电变换性 质。如果把单片 IC 基台的硅基板作为摄影面，并有规则的排列光电二极管（photodiode ）， 然后依次将光电二极管的光电流以某种方式取出，则此基板具有了图像传感器的功能。 最早可以产生图像，以像素平面排列的固态图像传感器，其构造与目前的 CCD 不同。 例如发表于 1966 年的光敏晶体管平面排列的图像传感器；1967 年发表了将光电二极管以平 面矩阵排列，利用扫描脉冲与 MOS 晶体管，以XY 地址方式取出信号的方法。这种方法虽 然实现了实用化，但在与 CCD 的竞争中失败，成为后来的CMOS 传感器的原型。 1.3 CCD 图像传感器 1969 年，CCD （Charge Coupled Device, 电荷耦合器件）由美国贝尔实验室的维拉·博 伊尔（Willard. S. Boyle ）与乔治·史密斯（George. E. Smith ）所发明，两位发明者也因此获 得了 2009 年诺贝尔新物理学奖。 由于CCD 具有储存信号电荷后传输的功能，可广泛应用于内存、显示器、延迟元件等。 关键应用的 CCD 图像传感器，利用了被成为帧转移（Frame Transfer ）方式（FT-CCD ）的 简单构造，于 1971 年由贝尔实验室发表。 从 CCD 首次发表至今，为了达到实用化进行了众多的研究。早期研究多以构造简单的 FT-CCD 为主，而目前应用最为广泛的 CCD 构造一般为 IT-CCD （Interline Transfer 行间转 移），另外还有一种FIT-CCD （Frame Interline Transfer 帧行间转移）。在信号处理方面，也 开发出了抑制 CCD 内部噪声的相关双采样电路（CDS: Correlated Double Sampling ）等。同 时，为了弥补增大像素密度，缩小像素尺寸而引起的感光度下降的问题，还开发出了片上微 镜头（Micro-Lens ）。 除 CCD 外，同期出现的固体传感器还有MOS 型图像传感器（CMOS 图像传感器原型）， CID （Charge Injection Device, 电荷注入器件），CPD （Charge Priming Device，电荷引发器件）。 此外，还有属于 CCD 之一的 CSD （Charge Sweep Device, 电荷扫描器件）。然而在众多的传 感器中，实用化的只有 CCD 与 CMOS 图像传感器。 1.4 CMOS 图像传感器 作为 CMOS 的原型，旧式的MOS 型图像传感器，其像素不具有信号电荷放大功能，故 归为 PPS （Passive Pixel Sensor ，无源像素传感器）；而如若像素内具有信号放大功能，则为 APS （Active Pixel Sensor,有源像素传感器），CMOS 传感器多为 APS 。CMOS 传感器在 20 世纪