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第38卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．38No．4
OFSYNTHETICCRYSTALS August，2009
2009年8月 JOURNAL
O半导体薄膜的电化学沉积研究
p型Cuz
胡 飞，江毅，粱建
(激德镇陶瓷学院，景德镳333001)
撼要：黻透嫒强嚷酸璃(ITO)翁铜冀秀工作魄缀，灞篱单铜盐通过戮搬述琢裁罄了Cu。O薄膜。装耀X射线纭射
《XRD)霸舞撬邀辘(SEM)研究了爱痉温交、幽J隧襁毫藏密度霹Cu：O薄貘豹徽筑蘑梅秘表露澎貔豹彰噙，莠霹薄貘
的生长机理避行了讨论。结果表明：溶液的瀣庹对Cu：O晶体的微观缡构无显著影响，丽溶液的滞值对Cu：O的生
长取向影响明星。张双电极的作用下，电沉积Cu：O薄膜的工作电流可以达到6mA·cm。‘，避避离于文献报导在三电
极体系下低于ImA-em。的工作电流密度。
关键词：氧化亚铜；电沉积；温度；电流密度
中圈分类号：TN215 殳黻橼识码：A
Films
ResearchonElectrochemicalof Thin
DepositionP—typeCu20
HU
Fei，JIANGYi，LIANGJian
Ceramic
(JingdezhenInstitute，Jingdezhen333001，China)
19November
(Received 2t)08，ⅨⅨ蓼斑20Febrnary2009)
thinfilmwasfabricatedelectrochemical ITOandCu
Abstract：Cu20 by depositonusing strip鑫sworking
of and valueonthemicrostmcture．surfaceandcurrent
electrode．Theeffect
temperatruepH morphology
of filmswerestudiedXRDand mechanismwasalsodiscussed．The
densitvCu，Othin SEM，the
by growth
has effectonthemicrostmetureof 0thin the
reuhsindicatethatthe 1ittle
temperature Cu2 film，andpH
actionof
valuehasobviousinfluenceonthe orientation。Underthe double
preferential eleetrodeposition，
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