ZnOSi异质结光电转换特性的研究.pdfVIP

第57卷第7期2008年7月 物 理学报 1000一3290，2008／57(07)，4471．05 ACTAPHYSICASINICA @2008 chin．P}lys．S0c． Zno／Si异质结的光电转换特性研究* ． 张伟英 邬小鹏 孙利杰 林碧霞 傅竹西+ (中国科学技术大学物理系，合肥 230026) (2007年11月14日收到；20cr7年12月12日收到修改稿) 成的异质结在黑暗和光照条件下的，-y特性，结果表明该异质结具有优良的整流特性，而且在光照条件下的反向 电流迅速增大并很快趋于饱和．通过测量zn0薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应，初步分析了异质结的 光电转换机理．测量结果显示，在入射光波长为380哪时光电流强度明显下降，反映出光电流与znO薄膜禁带宽度 的密切关系；同时还发现，在与zn0禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反．推测这一现象与异质 结的能带结构密切相关． 关键词：znO薄膜，异质结，光电转换，光谱响应 PACC：72．40，7340L，7320A 两种材料的禁带宽度不同，利用这种窗口效应可以 1．引 言 提高入射光的收集效率，理论上可以获得比同质结 Si光电池高很多的转换效率．但目前该类太阳能电 为了缓解当前能源危机和减少环境污染，太阳 池实际所达到的转换效率远低于理论预期的结果， 能电池的研究日益引起每个国家的重视．根据所用 同时还存在重复性差的问题，因此，有必要深入开展 材料的不同，太阳能电池可分为硅太阳能电池、多元 光电转换机理的研究，以期找出提高znO／si太阳能 化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太 电池光电转换效率的途径． 阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类．其中硅太阳能 本文利用直流反应溅射方法制备了znO，si异 电池目前发展最成熟，应用最广泛． 质结构，研究了样品的光电转换特性，并通过对光生 计算和实验结果均证实，用禁带宽度为O．8 电流和光生电压的光谱响应特性的分析，讨论了 eV一1．5eV范围内的半导体材料制作的太阳能电 znO／Si的光电转换机理． 池，对太阳光的利用效率最高，占太阳光投射能量的 50％左右…．Si的禁带宽度为1．1ev，正好属于上述 2．实 验 范围．在以往制备si太阳能电池时，通常采用rI’IO 做透明电极，TIO的制作成本较高，而且对紫外波段 利用直流反应溅射方法在p型Si(100)衬底上 有强烈的吸收，影响了对太阳光的充分利用，因而促 使人们寻找新的透明电极．作为一种宽禁带半导体 片的面积为lcm×1．5 cm，电阻率为6—12Q·cm，载 材料的Zn0薄膜不仅具有很好的导电性，而且从近 流子浓度为lO”cm。量级．Si衬底先经过有机和无 紫外到红外波段都具有非常高的透过率．因此，znO／ 机溶剂的超声清洗，以除去表面的有机和无机杂质 Si异质结太阳能电池的研究受到了广泛关注【2-6]，