TiO2/MgO双层薄膜的生长及应力研究.pdfVIP

  • 16
  • 0
  • 约1.57万字
  • 约 5页
  • 2017-09-04 发布于安徽
  • 举报
V01.40 第40卷 增刊 电子科技大学学报 Suppl. ofElectronic ofChina Joumal Scienceand 2011年4月 ofUniversity Technology Apr.2011 Tie2/MgO双层薄膜的生长及应力研究 刘莹莹,朱 俊,雷华伟,唐正瑜,罗文博,张鹰 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054) 的外延生长问题上具有典型性与代表性.为氧化物缓冲层生长的应变行为及控制提供了一种行之有效的方案,也为通过缓冲 层应力调控诱导多元氧化物功能薄膜外延生长奠定基础. 关键词LMBE;MgO薄膜;RHEED;Tie2薄膜;应力释放 中图分类号0484.1 文献标识码A d

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档