- 16
- 0
- 约1.57万字
- 约 5页
- 2017-09-04 发布于安徽
- 举报
V01.40
第40卷 增刊 电子科技大学学报 Suppl.
ofElectronic ofChina
Joumal Scienceand
2011年4月 ofUniversity Technology Apr.2011
Tie2/MgO双层薄膜的生长及应力研究
刘莹莹,朱 俊,雷华伟,唐正瑜,罗文博,张鹰
(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054)
的外延生长问题上具有典型性与代表性.为氧化物缓冲层生长的应变行为及控制提供了一种行之有效的方案,也为通过缓冲
层应力调控诱导多元氧化物功能薄膜外延生长奠定基础.
关键词LMBE;MgO薄膜;RHEED;Tie2薄膜;应力释放
中图分类号0484.1 文献标识码A d
原创力文档

文档评论(0)