ZnO薄膜的结构及发光性质研究.docVIP

第十六■全■化合物半辱 投稿分类号：ＭＧＣ ＺｎＯ薄膜的结构及发光性质研究 马艳，高福斌，殷景志，张宝林，杜国同 （集成光电子学国家重点联合实验室。吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春１３００１２） 摘要：采用ＭＯＣＶＤ方法．在Ａｌ。０３衬底Ｌ乍长了Ｚｎ０薄膜．并利用Ｘ射线衍射、拉曼散射谱以及光致发光谱分析了薄膜的结构 和发光性质。研究表明，在当前条件下生长的Ｚｎ０薄膜为人力。纤锌矿结构，薄膜袷ｃ轴方向取向乍长．在薄膜当巾仍存在张应 力。侄低温ＰＬ谱中，只观察到施ｌ：束缚激子的发光峰，其强度随测试温度的降低而增加。对Ｚｎ０簿膜变温ＰＬ谱的进一步分析 表明．施主束缚激于的热激活能在１０．３－－１３．６ ｍｅＶ范围内，绝对零度下施￡束缚激子的跃迁能约为３．３２１—３．３２４ｅＶ． 关键词：ＺｎＯ．ＭＯＣＶＤ，性质 中Ｉ璺１分类号：ＴＮ３０４．２  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｐｈｏｔｏ Ｉ  ｕｍ  ｉ  ｎｅｓｏｅｎｃｅ  ｏｆ ＺｎＯ ｔｈ ｉ  ｎ  ｆｉ Ｉ  ｍｓ  ｇｒｏｗｎ ｂｙ ＭＯＣＶＤ Ｙａｈ Ｍａ，Ｆｕｂｉｎ Ｇａｏ。ＪｍｇｚｌＩｉ Ｙｉｎ，Ｂａｏｌｉｎ Ｚｈａｎｇ，Ｇｕｏｔｏｎｇ Ｄｕ ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｗＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｍｅ