碳化硅颗粒气流粉碎与表面改性一体化研究.pdfVIP

中国颗粒学会第七届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会 th 2010 年 8 月 7 Annual Conference of Chinese Society of Particuology cum Symposium on Particle Technology across Taiwan Straits * 碳化硅颗粒气流粉碎与表面改性一体化研究 吴 芸 蔡楚江 沈志刚 张晓静 （粉体技术研究开发北京市重点实验室 北京航空航天大学 10019 1） 摘 要：采用高速气流粉碎方法，研究了碳化硅气流粉碎与表面改性一体化处理过程中改性剂用 量、粉碎气流温度、改性剂种类和改性剂添加方式对碳化硅出料速度和改性效果的影响。实验结 果表明，当使用A-151硅烷偶联剂作为改性剂时，选择粉碎气流温度为60℃，改性剂用量为0.5%， 碳化硅的出料速度最快，相比无改性剂时提高了19%，且改性效果良好。与预混合