高功率LED技术的研究.pdfVIP

功率白光 LED 的研究 白光 LED 因绿色环保、高效节能以及长寿命的优点得到人们的高度重视，但是LED 照明产品的开发是一个系统工程， 除了提升光源本身的亮度外，还涉及到散热、二次配光、控制电路、电源等一系列问题。目前，LED光源的亮度还不够高， 所以大家把LED 照明产品的功率做得较大，这样一来就带来了成本增加、散热结构复杂、电源和控制设计困难等一系列 问题。如果LED 光源的光效能得到大幅提升，其它如价格、散热、驱动电路、以及配光等环节的问题处理起来就更加容 易，所以白光 LED 光效的提升至关重要，它是LED 照明走向普通照明的重要环节。 白光是一种多颜色的混和光，目前白光 LED 的制造方法主要有以下几种方式： 1.R+G+B(LEDChip) 2.B(LEDChip)+YellowPhosphor(荧光粉) 3.B(LEDChip)+(R+G)Phosphor(荧光粉) 4.B(LEDChip)+(Y+R)Phosphor(荧光粉) 5.B(LEDChip)+(Y+G)Phosphor(荧光粉) 6.UV(LEDChip)+(R+G+B)Phosphor(荧光粉) 其中第一种方法是将R、G、B三色LED 芯片封装在一起，通过 RGB 混光的方式得到白光;第二种是蓝光LED 芯片加YAG 黄色荧光粉的封装方式，通常以450nm-465nm 的蓝色光激发YAG 黄色荧光粉产生黄光，该黄光与透过YAG 荧光粉而没有 被吸收的蓝光混合而产生两波长的白光，这项技术的发明者为日亚化学(美国专利：US5998925);第六种方法是通过紫外 光激发R、G、B三基色荧光粉，从而产生 R、G、B 三色光混合的白光(美国专利：US5952681)。 紫外光激发三基色荧光粉的封装方式发光原理与日光灯的相同，都是由三基色荧光粉吸收能量而发出三色光，再经 混合而得到白光。这种发光模式发出的白光显色性较好，但目前这种封装模式还受到一些材料特性和制程技术的制约， 例如目前尚无抗衰减、高效率的功率型紫光 LED 芯片;封装材料选择困难，一方面这些封装材料必须抗紫外光，不会因为 紫外光的照射而产生劣化;另一方面这些封装材料还要能阻挡紫外光的外泄，以避免对人体产生伤害。 目前，第一种和第二种是最常用的白光 LED 制造方法，尤其是以蓝光激发黄色荧光粉而得到白光的这种方法，已被 用于工业化量产。这种制造技术其发光效率高低主要取决于材料(芯片、荧光粉、胶水)的优劣和生产制程的过程控制， 下面我们就这几方面的问题作一些讨论： 材料： 1.芯片 芯片本身的功率是白光 LED 光效的决定因素，目前常见的蓝光芯片制造方式有下列四种类型： A.以Cree 为代表的SiC 或者 Si衬底(图一) 这几种芯片结构都有他们独自的特点。蓝宝石衬底芯片的出光模式为正面和侧面出光，其优点是工艺相对简单、成熟， 但是由于蓝宝石导热率较低，对器件的散热有一定影响。Si 衬底芯片、金属衬底芯片以及倒装芯片的出光模式都是正面 出光，Si 衬底芯片的典型代表为Cree的EZ 系列，这类芯片的特点是 Si衬底背面镀有Au-Sn合金，可以进行共晶固晶以 获得较低的热阻;倒装芯片的典型代表是 Lumileds，其制造方法是通过刻蚀露出外延层的N 区，然后将整个芯片倒装焊接 在具有电路结构的Si 基板上，通常，Si基板上还集成有齐纳二极管，这芯片的散热能力和抗静电能力都比较高。金属衬 底芯片与 Si衬底芯片结构类似，只不过