电子辅助化学气相沉积纳米金刚石膜及其光电性的研究.pdfVIP

A．16 电子辅助化学气相沉积纳米金刚石膜及其光电性奇潲研究 吴南春8 夏义本6 王林军6 8中国科学院上海硅酸盐研究所201800邮箱：wunanchun@126．tom 6上海大学材料学院200072 摘要报道了电子轰击化学气相沉积生长表面对纳米金刚石薄膜成核、生长机制及其光电性 能的影响关系。研究了电子诱导脱氢对表面生长台阶等表面几何结构演化的影响关系。运用 拉曼光谱、XRD、光致发光谱、霍尔效应测试等方法，研究了电子诱导脱氢生成的缺陷对薄 膜光电性能的影响关系，发现电子轰击使纳米金刚石薄膜呈现较强的非本征P型半导体特性， 纳米金刚石薄膜空穴浓度达到1014cm．2以上。发现电子轰击使纳米金刚石薄膜具有很强的兰 色光致发光性能(在470r姗)。 关键词纳米金刚彳j薄膜；电子辅助化学气相沉积；电学性能；光学性能 1引言 纳米金刚石薄膜在摩擦磨损、光学涂层、场发射、MEMs和电化学应用等领 域有广泛应用前景【1’21。纳米金刚石薄膜的制各关键是高成核密度和高二次成核 率。在贫氢或无氢的～．H2．CI-h或c60．H2．Ar环境中高c2基团浓度导致极高的二 次形核速率：在富氢的气氛(如H2．CH4)，采用特殊的衬底预处理技术和高甲烷 浓度形核也能获得形成纳米尺度金刚石晶粒所要求的成核密度。而且，制得的薄 膜材料具有更好的光学性能。‘衬底正偏压对光滑si衬底表面金刚石成核也有增强 效应，并且正偏压条件下，Si衬底的光滑表面几乎不会受到破坏。本工作采用电 子辅助热丝CVD法制备纳米金刚石薄膜。并研究了它的光电性能。 2实验部分 沉积装置同参考文献【3】。本工作中，热丝接阴极，样品台连接地线，施加偏 压时，在热丝与样品台之间形成一个自下面上的均匀的静电场，热丝发射电子轰 击衬底表面，偏压电流密度为0～1mA／mm2。衬底材料为市售n型(100)Si单晶片， 0·锄)．，样品尺寸为20x20x0．5mm3。沉积纳 表面已被抛光，低电阻率(P7 YvonLabRam 米薄膜的工艺参数如表1所示。激光拉曼光谱仪(Jobin Infinity)激发 HL 石膜的光致发光光谱，激发光波长370nm，光源为氙灯。 58 3结果与讨论 图1为连续施加偏流对lkPa气压下沉积纳米金刚石薄膜Raman光谱的影响关 系，该图显示偏流对纳米金刚石薄膜的沉积有较大影响。当偏流为0A时，有明显 的金刚石特征峰，但还有较强的无定形碳峰。当偏流为2A时，金刚石特征峰明显 增强，同时D峰有所增强，自然有较强的无定形碳峰。当偏流为4A时，金刚石峰 大大减弱，而D峰和G峰较强。当偏流为6A时，金刚石峰大大增强，而D峰较弱， G峰朝波数少的方向移动。当偏流为8A时，金刚石峰又减弱，而D峰增强，G峰朝 波数多的方向移动。当偏流为10A时，金刚石峰更弱，而D峰更弱，G峰朝波数多 的方向进一步移动。图3．1显示，电子轰击可使金刚石拉曼散射峰增强，如偏流为 2A和6A时的状况。但偏流为4A时，金刚石拉曼散射峰强度大大减弱。当偏流增加 至8A和10A时，表面脱H反应加速，Lisp3C悬挂键产生，其中部分转变为sp2键。 因此，金刚石拉曼散射峰强度反而又降低。 图2为连续施加偏流对lkPa气压下沉积纳米金刚石薄膜XRD图谱的影响关系， 衍射峰的相对强度列于表2。通过线宽分析计算了各个薄膜中晶粒尺寸，结果列 于表3。衍射峰相对强度观测显示当偏流为6A时，薄膜呈现较强的(110)晶面择 优取向。 表2表明，电子轰击对薄膜晶粒织构取向有较大影响，使晶粒产生(111)和 A时晶粒反 (110)织构取向。表3表明，电子轰击使薄膜晶粒明显减小。偏流为6 A时晶粒变大可能 而增大可能与此时晶粒的(110)织构取向增强有关。偏流为10 与形成较多