Zn%2b、Pt%2b离子注入对p-GaN表面Ni%2fAu电极欧姆接触特性的改善研究.pdfVIP

2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议 Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni／Au电极欧姆接触特性 的改善研究 石瑛，赵世荣，李鸿渐，何庆尧 武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072 nm)电极的接触界面进行Zn*、tt+离子 摘要：采用离子注入工艺，对p-GaN与Ni／Au(5／10 注入，注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)处理，发现Ni／Au电极和p-OaN 的欧姆接触特性得到了明显改善。Zn作为II族元素，可提高p-GaN表面的载流子浓度，研究 Q．cm2，电极的光透射率也随退火温度的升高而增大。结合电镜分析，此欧姆接触特性的改善 被归因于Zn*注入到接触界面使界面空穴浓度增加和肖特基势垒高度降低，注入剂量和退火温 度在此机制中起重要作用。具有高功函数的Pt*注入对欧姆接触特性也有改善，但效果不如Zn* 注入明显。经1X1016el2的pt+注入、300。C的R1rA处理后，样品的接触电阻率最低，但只是 度为200。C，注入及退火对电极接触光、电特性的改善有不同步现象。 关键词：p-GaN，欧姆接触，离子注入，快速热退火 0引言 制备具有低接触电阻率的欧姆接触电极对GaN基光电器件的热稳定性和输出功率都有 很大影响。对于n．GaN的电极接触，采用Ti／Al体系已经可以获得低阻欧姆接触llJ，但制备 具有低阻的P．GaN欧姆接触电极目前还是一个没有被完全解决的难题【2J引，这主要有两方面 的原因：一是宽禁带材料的杂质离化能高，重掺杂难以实现，p．GaN中的载流子浓度一般只 eV)， 能到101。7cm。3数量级：二是缺乏合适的的接触电极材料，由于P-GaN的功函数很大(7．5 缺乏功函数足够高的接触电极材料可供选择。 目前，尝试降低金属电极和P．GaN接触电阻率的方法主要有如下几种：一是试验新的电极 组合【2-41，二是采用表面处理工斟孓引，三是改变退火工艺…01，四是通过在P．GaN上生长 p-lnGaN盖帽层、构成p．InGaN／p．GaN超晶格结构，利用其势阱对空穴载流子的限制作用， 提高表面的载流子浓度【11。12J。这些途径的目的都在于提高P．GaN表面的载流子浓度，降低 势垒高度，从而降低接触电阻率I”J。 Zn属于lI族元素，对P．GaN／Ni／Au界面处进行Zn+注入，可望提高界面处载流子浓度， 从而降低接触电阻率【3．1¨61。Pt的功函数(5．68eV)在金属材料中是最高的，在P．GaN表面 上的Pt接触可直接降低界面的势垒高度【17,18】，可为金属电极和P．GaN形成低欧姆接触提供 有利条件。基于此，我们开展了对P．GaN和Ni／Au接触界面处的Zn+、Pt+离子注入研究。 作为一种非平衡态下的掺杂技术，离子注入具有不受杂质固溶度限制且能精确控制杂质分布 的优点，其掺杂过程的重复性和稳定性也很好，而且具有动力学退火效应。对p-GaN和金 属电极的接触界面处进行Zn+、Pt+离子的注入掺杂，可提高p-GaN接触界面处的载流子浓 度、降低接触势垒高度，而且由于离子注入的轰击效应可促进界面处发生混溶反应、生成新 的界面层，这些因素都有利于促进电子的隧穿效应、降低接触电阻率。在本文中，我们通过 基金项目：国家自然科学基金资助项目。 作者简介：石瑛，男，博士，副教授，开展半导体功能材料与器件研究，电话： 027Email：shiying@whu．edu．cn。 113 2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议 对p-GaN／Ni／Au界面的Zn+、Pt+离子注入和退火处理，改善了电极的欧姆接触特性和光透 射率，探讨了注入剂量和退火温度在此过程中的重要作用。 1实验 穴载流子浓度为7x101 7cm～。制备电极前，对P．GaN表面用缓冲氧化物蚀刻液(BOE)清洗。 采用电子束蒸发方法掩膜沉积厚度为5／10nln的Ni／Au电极，然后在空气氛围中