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180nm 嵌入式EPROM 数据保持能力的工艺优化研究 中文摘要 180nm 嵌入式EPROM 数据保持能力的工艺优化研究 中文摘要 在0.18um 工艺下的EPROM （OTP ）的研发过程中，晶圆测试达到较高的良率后， 数据保持能力的验证就是一项重要的工作。而一般以 150℃下 1000 小时的加速实验 作为验证的标准。 通常在非加速条件下进行，耗时较长。在市场竞争日趋激烈的环 境下，企业迫切需要缩短新产品的可靠性验证时间。本文针对 EPROM 的保持能力 的工艺优化方面做了一些实验研究和方法探讨。根据在不同温度下的数据保持能力的 验证，分析出相应的失效模式，并同时做一些相应的工艺改进，不断提高产品的品质。 关键词：可靠性，OTP ，EPROM ，加速老化实验 作 者：徐海涛 指导教师：钱 敏 I Abstract Study on the Process Optimization for Data Retention of Embeded EPROM Study on the Process Optimization for Data Retention of Embeded EPROM Abstract In the Fab Plant ，data retention evaluation is very important for product qualification. Optimization of process to data retention capability inprovement is a major work for process intergrity engineer of technology development team. Temperature accelerating factor is used during data retention checking to ensure 10 years life time under 85 ℃. Charge loss mechanisms match Arrenius formular. Active Energy should be a clue to find the failure causes about data retention. Experimental result is the real references for process optimization. Charge loss mechanisms of 180nm EPROM process can be divided into two categories: extrinsic and intrinsic. The data retention lifetimes are typically determined by accelerated high-temperature data retention bake and calculated with the known active Energy （Ea ）. Key words ：Reliability ； Data Retention ； EPROM ； Ea