SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.pdfVIP

第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 9l SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 (1．中国科学院新疆理化技术研究所新疆鸟鲁木齐830011； 2．中国科学院研究生院北京100049) 摘要 本文研究了AlteraSRAM型FPGA器件60CoY辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应． 通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通 过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系， 详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢 复的原因，并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异．最后，测量了输出端口的高低电平， 分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系． eOCo 关键词 SRAM型FPGAY 总剂量辐射损伤退火效应 利用实验室条件来评估空间环境中器件的辐射损伤已经得到广泛应用【1一叼，但实验室条件下的剂 量率远远高于空间辐射环境，从而使短时间内产生氧化物陷阱电荷的数量达到空间需要数月甚至数 年才能达到的程度，而界面态的产生则远远不够。因此我们在总剂量辐照后，需要对器件进行辐照 后退火实验，研究器件辐照后的效应，也就是退火效应，进而准确模拟空间辐射环境。 Gate 关于现场可编程门阵列(FieldProgrammable 军用应用提供技术支持，将商用级的FPGA整合到空间级、耐辐射的FPGA。但从发表的文章看， 国外的研究主要集中在Xilinx 效应方面，针对AlteraSRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤机理，尤其是辐照后退火效应的深入探 讨相对较少。而国内相应的工作虽然已经起步，但相对于国外发展的还是比较缓慢，仅有的几篇报 型FPGA尤其是AlteraSRAM型FPGA总剂量辐射损伤及辐照后退火效应的报道很少。 本文研究了AlteraSRAM型FPGA器件60CoY总剂量辐射损伤及退火效应。通过不同模块实现 相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序 所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细探讨了不同 模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因，并讨 论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。最后测量了输出端口的高低电平，分析高低电平随 ’作者简介：高博，男，1983年生，2006毕业于大连理工大学物理系，现就读中科院新疆理化技术研究所，硕士研究 生，研究方向是半导体电子元器件尤其是CMOS集成电路的辐射效应，目前主要从事的研究是FPGA器件辐射损伤 效应及评估技术和测试平台的搭建。联系方式：E-n脚h gaob0917@yahoo．com．cnTeh SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 总剂量、退火时间的变化关系。 1 器件选择及实验方法 1．1器件选择 FPGA器件是由逻辑模块和电气程控互联组成的普通二维阵列，用来实现特定的硬件功能，可 以根据需求改动和定制。目前，市面上的FPGA器件种类繁多、性能各异，但我们并不是针对某一 特定型号FPGA器件进行总剂量辐照实验及辐照后的退火实验，而是为了研究FPGA器件总剂量辐 成后利于对器件总剂量辐射损伤及其退火效应进行分析；同时它包含FPGA基本的模块，如逻辑块、 1．2辐照实验 电离辐照实验是在本所水储式5．37X Y辐照源上进行的，它是一个由间距为2cm 1015Bq的觑)Co 把分频电路的源程序下载到配置芯片中，辐照过程中一直给辐照板提供5V电源和50MHZ的脉冲方 波信号。剂量达到一定值时，对辐照版进行移位测试，通过．HAG接口下载不同的源程序(8、16分 频电路，2、3分频电路，RAM读、写电路，输出高低电平电路)到FPGA芯片，用示波器观测并记 录不同模块的输出波