宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响.pdfVIP

CN 43一l258／TP 计算机工程与科学 第 36卷第 5期 2014年 5月 ISSN i007—13OX ComputerEngineering8LScience Vo1．36，No．5，May．2014 文章编号 ：1007—130X(2014)05—0786—04 宽度和长度缩减对体硅和 SO1nMOSFETs热载流子效应的影响 池雅庆 ，刘蓉容 ，陈建军 (1．国防科学技术大学计算机学院，湖南 长沙 410073； 2．电子元器件可靠性物理及其应用技术 国家重点实验室，广东 广州 510610) 摘 要：针对标准体硅在 CMOS和 PDSOICMOS两种工艺下的nMOSFETs，研究 了沟道长度和 宽 度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明，在两种工艺下，热载流子的退化均随着沟道长度的减小而 增强；然而，宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同：体硅工艺的热载流子退化随宽度 的 减小而增强，SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应 的影响深入分 析 了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原 因；同时基于边缘 电场分布对热载流子效应的影 响解释 了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研 究结果对于实际深亚微米工艺 下，集成 电路设计 中器件工艺尺寸和版 图结构的选择具有一定指导意义。 关键词：热载流子效应；碰撞 电离；界面态；垂直 电场强度 中图分类号：TN405 文献标志码 ：A doi：10．3969／j．issn．1007—13OX．2014．05．002 Effectofchannelwidthandlength shrinkingon ’ IIOtCcaarrrrieerre~flfteeccttinn bbuullkk andSOInMM UoSF量I’EET。lS。s CHIYa—qing ，LIU Rong—rong 。CHENJian—jun (1．CollegeofComputer，NationalUniversityofDefenseTechnology，Changsha410073； 2．NationalKeyLaboratoryofScienceandTechnologyonReliabilityPhysicsandApplication TechnologyofElectricalComponent，Guangzhou510610，China) Abstract：Theeffectofchannelwidthandlengthshrinkingon hotcarriereffect(HCE)in standard bulk SiCM OSandSOICMoSnM OSFETSisstudied．Theexperimentalresultsshow thattheHCE deg— radationenhanceswiththedecreaseofchannellengthbothinthestandardbulkSiandSoInM OSFETs． However，thechannelwidthshrinkingshowsdifferenteffectonHCE degradation。TheHCE degradation enhanceswith thedecreaseofchanne1width in bulk nM0SFETswhile theHCE degradation reduces withthedecreaseofchannellengthinSOInMOSFETs．TheeffectofinterfacetrapsonHCE iSdiscussed inordertodiscoverthemainphysicalm