第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则课件.ppt

集成电路设计导论 第一部分 理论课 第一章 绪言 1．1 集成电路的发展 1．2 集成电路分类 1．3 集成电路设计 第二章 MOS晶体管 2．1 MOS晶体管结构 2．2 MOS晶体管工作原理 2．3 MOS晶体管的电流电压关系 2．4 MOS晶体管主要特性参数 2．5 MOS晶体管的SPICE模型 第三章 MOS管反相器 3．1 引言 3．2 NMOS管反相器 3．3 CMOS反相器 3．4 动态反相器 3．5 延迟 3．6 功耗 第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4.1 引言 4.2 集成电路基本加工工艺 4.3 CMOS工艺流程 4.4 设计规则 4.5 CMOS反相器的闩锁效应 4.6 版图设计 第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 5.1 NMOS管逻辑电路 5.2 静态CMOS逻辑电路 5.3 MOS管改进型逻辑电路 5.4 MOS管传输逻辑电路 5.5 触发器 5.6 移位寄存器 5.7 输入输出（I/O）单元 第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器 6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础 7.1 引言 7.2 MOS管模拟集成电路中的基本元器件 7.3 MOS模拟集成电路基本单元 7.4 MOS管模拟集成电路版图设计 第八章 集成电路的测试与可测性设计 8.1 引言 8.2 模拟集成电路测试 8.3 数字集成电路测试 8.4 数字集成电路的可测性测试 第二部分 实验课 1、数字集成电路 （1）不同负载反相器的仿真比较； （2）静态CMOS逻辑门电路仿真分析； （3）设计CMOS反相器版图； （4）设计D触发器及其版图； （5）设计模16的计数器及其版图（可选）。 2、模拟集成电路 设计一个MOS放大电路（可选） 。 （f）接触孔（Contact） （g）金属连线（Metal） 图4.3.4 CMOS工艺流程 * * 云南大学信息学院电子工程系 梁竹关 36学时 总计 4学时 集成电路的测试与可测性设计 第八章 6学时 MOS管模拟集成电路设计基础 第七章 4学时 MOS管数字集成电路子系统设计 第六章 4学时 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 第五章 6学时 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 第四章 6学时 MOS管反相器 第三章 4学时 MOS晶体管 第二章 2学时 绪言 第一章 教学时数 题目 章次 教学进度表 参考文献 [1] 王志功，景为平，孙玲.集成电路设计技术与工具. 南京： 东南大学出版社，2007年7月（国家级规划教材）. [2]（美）R.Jacob Baker, Harry W. Li, David E. Boyce. CMOS Circuit Design, Layout and Simulation. 北京： 机械工业出版社，2006. [3] 陈中建主译. CMOS电路设计、布局与仿真.北京：机械工 业出版社，2006. [4]（美）Wayne Wolf. Modern VLSI Design System on Silicon. 北京：科学出版社，2002. [5] 朱正涌. 半导体集成电路. 北京：清华大学出版社，2001. [6] 王志功，沈永朝.《集成电路设计基础》电子工业出版 社，2004年5月（21世纪高等学校电子信息类教材）. 4.1 引言 第四章 集成电路基本加工工艺及设计规则 20世纪60年代，以热生长二氧化硅膜作为绝缘栅的MOS场效应管制作成功的以后，由于初期MOS工艺技术水平低，工艺重复性和稳定性差，MOS器件一直未能大量生产和应用。到了70年代，MOS工艺走上了飞速发展阶段，在以后的30年中，经历了PMOS、NMOS、HMOS和深亚微米CMOS发展阶段，并成为当代集成电路的主流工艺。 PMOS工艺技术是MOS工艺的起步工艺。选择PMOS工艺不是因为其自身的优点，而是在当时的工艺条件下，PMOS器件容易制作。1972年以后，由于能生产低表面态密度，性能稳定的SiO2薄膜，再加之等平面工艺技术的发明，使得具有很多优点的NMOS工艺技