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电力电子技术 第6讲 2 电力电子器件（4） 电力电子器件(4) 本讲是 第2章 电力电子器件 的第4讲，上3讲的主要内容是： 2.1 电力电子器件概述 2.2 电力二极管 2.3 晶闸管 2.3.1 (普通）晶闸管(SCR) 2.3.2 门极可关断晶闸管(GTO) 2.4 晶体管 2.4.1 电力晶体管(GTR) 本讲将学习的内容： 2.4.2 电力场效应晶体管 2.4.3 绝缘栅双极型晶体管 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术06.2 电力电子技术 电力电子器件(4) 2.4.2 电力场效应管 电力场效应晶体管 分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应 晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力 电子装置 。 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术06.3 电力电子技术 电力电子器件(4) 1. 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型—— 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存 在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术06.4 电力电子技术 电力电子器件(4) 电力MOSFET的结构 S D D G N+ N+ N+ N+ P P G G 沟道 N- N+ S S D N沟道 P沟道 a) b) 电力MOSFET的结构和电气图形符号 单极型晶体管,导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET） 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂 直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Dou