氧化锌纳米晶体管的制备及研究.pdfVIP

氧化锌纳米晶体管的制备及研究 张进，屈科，雷威·，王保平 东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中·0 0096Email：1w6lseueflucn 邮编．21 Zn0…iresBecause atticlewemtroduceanovelkindofthinfilmtransistorbasedon Abstract：in血is excell∞t of Zn0蛆加wirB of ofthe andtbousage propertieshighelectronmobilityin toformthe atransistorwithexcdilantD口fqmances．The channellayer,wesucee姑fullyget 0Vandtheon-offCllITC．nt measuredisabout095cmZ／VS ratioislarg盯 andthethresholdvoltageVthisaboutl thau 10whichamgood Thinfilmtransistor Keywords：ZnO IPlexibladisplay 精要；本文介绍了种基于氧化锌纳米线的薄膜晶体管的制各和研究。通过氧化锌纳米线做电子传输的 9bom2／VS． 淘道，采用Top栅极结构实现了传统硅薄膜晶体管的相应的功能。其中．电子迁移率达到了0 晒值电压为10V，整个器件的开蓑通断比大于l旷，基本达到了传统的薄膜品体管的性能，但由于其制 作过程，无需高温，为进～步制作柔性显示电路提供了可能。 关链词；氧化锌薄膜晶体管秉性显示 1．引言 近些年来，随着微电子技术的发展，薄膜晶体管作为电路的晟基本的元素之一也在经历着前所未有的 发展”1。其中，柔性显示技术的出现对薄膜晶体管提出了新的要求：可弯曲，高的迁移率以及低廉的成 本01。对传统的多晶硅薄膜晶体管来说，制作过程中的高温处理的工艺步骤失其根难兼容柔性塑料村底。 而对有机半导体薄膜晶体管来说，其过低的电子迁移率也使得他们不能满足实际的需要。为了满足这些 需要，氧化物半导体薄膜晶体管越来越被人们都关注。尤其随着人们对Zn0这一宽菜带金属氧化物半导 体研究的逐渐深入，在现有技术条件下，制作氧化锌纳米薄膜晶体管满足柔性显示电路要求t已经成为 可能∽1。在本文中，我们报道了一种基于氧化锌纳米线的氧化锌薄膜晶体管，利用氧化锌中电子迁移 率较高，并且氧化锌纳米线的柔韧性较好的特点，实现了对传统薄膜晶体管功能的替代。 2．实验步骤 整个实验步骤可咀分为两大部分。一部分为氧化锌纳米线的先期制备。收集。另一部分为沟道层t绝 缘层．以及电极对的制作。其中氧化锌纳米线的制备所循要的前驱溶液为Zn(Clt￡00)“2}∞稀溶液，摩 尔浓度为0 得的氧化锌纳米线如图l所示。 圈1水热挂±长氧化锌SfiM田 然后通过超声将生长获得的氧化锌进行收集，然后溶解在有机溶荆中．通过丝印的方法将混合了氧化 锌纳米线丝印在沟道的两端，然后在此基础上进行常温溅射一层200nm厚的si如．然后在绝缘层的上面 溅射一层IT0栅电极。整个结构的模拟结构图和局部沟道SEM圈如下所示。 So 图2氧化锌纳米TFr结构圈 圈3氧化辞纳米啊宴际SEW圉 3．实验结果讨论 如图2和图3所示．在氧化锌纳米薄膜晶体管的漏极和栅极加上台适的电压．并且源极端接地。固定 栅极电压v自针对不同的源漏极电压Vds，测量沟道中的电流Ids，从而