毕业论文答辩--沉淀法引入CuO对ZnNb2TiO8微波介质陶瓷性能影响.pptVIP

论文答辩 论文题目： 沉淀法引入CuO对ZnNb2TiO8微波介质陶瓷性能的影响 Effect of CuO by Precipitation Method on Dielectric Properties of ZnNb2TiO8 Ceramics 目录 第一章 选题意义、目的和背景 第二章 实验过程 第三章 结果分析及结论 结束语 第一章 选题意义、目的及背景 1.2 微波介质陶瓷分类 1.3 ZnO-Nb2O5-TiO2系微波陶瓷 1.5 课题的提出与研究内容 1.5 课题的提出与研究内容 第二章 实验过程 第三章 结果分析及结论 3.2 微观形貌及物相组成分析 3.3 结论 　　　(1)通过Cu(NO3)2和C2H2O4反应并沉淀在ZnNb2TiO8基体粉上沉淀，引入CuC2O4前驱体，将CuO液相包覆到了ZnNb2TiO8上。 　　　(2)ZnNb2TiO8介质陶瓷掺杂CuO后，烧结温度得到一定降低，由1150℃降至1050℃，烧结致密度达到95%以上，介电常数Kr和频率温度系数τf得到优化，但介电损耗tanδ增加，其介电性能为：τf由-52ppm/℃增至-32.1ppm/℃；Q×f由42500GHz降至12139GHz。 (3)掺杂1．0wt％CuO的ZnNb2TiO8介质陶瓷1050℃烧结时具有最佳的综合介电性能：τf=-32.1ppm/℃，tanδ=0.00082，Q×f=12139GHz。 结束语 本文对采用Cu(NO3)2·3H2O和C2H2O4·2H2O反应产生沉淀对ZnNb2TiO8进行液相包覆，并提出了常规的设计思路和分析步骤，达到了论文设计目标。 致 谢 衷心感谢高老师耐心的指导和帮助！ 衷心感谢评委老师们的指正！ 衷心感谢曾今一起经历风风雨雨的同窗好友们！ 祝大家身体健康，万事如意！ * * * * 答辩人： 导 师： 时 间：2013年6月 计算机 汽车 医疗 消费类电子产品 移动电话 携式汽车电话 卫星通信、卫星直播 电视等 LC 滤波器，耦合器，片式天线， 高度集成模块等 军事、航天 航空 微波介质陶瓷 1.1微波介质陶瓷的应用 高介 低介 中介 LTCC BaO-MgO-Ta2O5 BaO-nO-Ta2O5 BaTi4O9 基 Ba2Ti9O20 基 CaTiO3-MgTiO3 Bi2O3-nO-Nb2O5 BaO-Ln2 O3-TiO2 CaO-LiO-Ln2O3-TiO2 Li2O-Nb2 O5-TiO2基 (Pb1-xCax) (Mg1/3Nb2/3)O3 ZnO-b2O5-TiO2 Bi2O3-Nb2O5 研究现状 ZnO-Nb2O5-TiO2烧结温度1150℃左右 D.W.Kim,H.B.Hong等在0.42ZnNb2O6-0.58TiO2中添加10wt.%的CuO，使陶瓷烧结温度降低到875℃Kr=37，Q×f=17000GHz, τf =-7ppm/℃ 张启龙等在ZnNb2O6-2TiO2中添加1.5wt%CuV2O6， 使陶瓷烧结温度降低到860℃，拥有性能Kr=42.3， Q×f=9000GHz，τf =8ppm/℃；。 ZnNb2TiO8因为具高Kr、高Q和低τ?而引起了研究人员的广泛 关注，但其烧结温为1250℃，难以与Cu、Ag等电极材料烧结。 孙露等采用BaCu(B2O5)作为助烧剂，可使陶瓷的 烧结温度从1100°C降低到900°C，且致密度高于纯片 的致密度，介电性能：Kr=48, Q×f=15258GHz, τf =41ppm/°C(5GHz)， 传统助烧剂引入方法弊端 晶格缺陷的产生 材料内部有玻璃相存在，使其本征损耗增大 材料的主晶相与玻璃相之间有化学反应产生第二相， 主晶相含量减少，或有杂质相产生 制备高品质因数的低温烧结微波介质陶瓷 材料，应尽量减少高损耗助烧剂的用量。 液相包覆法优点：引入烧结助剂则不仅可以减少添加剂的加入量，而且可以实现添加剂在基体粉中的均匀化，从而减轻其对陶瓷材料介电性能的恶化。缺点：直接以Cu(NO)3溶液为前驱体，很难将Cu(NO)3有效地包覆到陶瓷粉体颗粒上，抽滤过程中会被大量抽走，不能很好地控制助剂CuO的引入量。  通过Cu(NO3)2和草酸作用产生草酸铜沉淀可以较好地包覆到ZnONb2TiO8陶瓷基体粉上。 Naber高温烧结炉 2.1 工艺流程 2.2 试样的表征测量 ?体积密度 ?XRD分析 ?SEM分析 ?介电性能测试 3.1 烧结特性分析 图3-1掺杂CuO的ZnNb2TiO8陶瓷温度-相对密度曲线 （1） 液相包覆复合添加剂后，ZnNb2T