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便携式微处理器内核电源电压的改进 当今的处理技术正向着更小型化发展，以减小诸如 DSP 和微处理器之类高 密度逻辑器件的尺寸。CMOS 结构随之采用了更小的沟道和更薄的栅极，因此 击穿电压较低，从而要求更低的处理器内核成电压。本文将讨论这些新技术如何 对电源管理方法提出更新的要求，并为设计便携产品遇到的独特难题提供解决方 案。 图 1 典型的移动电话结构 以移动电话为例，图 1 中构成系统的每一模块均须满足不同的要求。便携 式设备所采用的电池大多已从 NiMH 发展到锂离子电池。个人数字助理（PDA ） 和数码相机（DSC ），尤其在成本较低的架构中，仍然采用碱性电池和 NiMH 电 池。便携式产品中一般包含电池充电器，而充电器必须可以处理 500-1500mA 范围内的电流，以缩短充电周期。此外该充电器必须在设备开机或关机时均能控 制电池充电。人机界面处理用户发送或接收到的信息，振动马达需要使用稳压器， LED 指示灯需要驱动的电流源，触摸屏输入需要接口部分的（ADC ）。这些输 入的确提高了对电池的要求，但由于操作时间短，对电池的使用寿命没有显著影 响。射频(RF)部分是噪声最敏感的部分，要求使用具有卓越性能的低压降线性稳 压器（ LDO ），这种稳压器具有高噪声抑制比以及低输入- 输出电压差，可在 2.7-4.2V 的工作范围内最大化单节锂离子电池的容量。在过去几年里，射频部分 的功率要求逐步改进，工作电压从 2.85/3V 降到 2.5V ，总电流量在减少。射频 部分的唯一例外情况就是发射功率放大器，通常直接由电池供电。射频部分的主 要变化在于其上、下变频器从原来的模拟结构转换为数字结构。最大的改进是整 合混合信号和数字逻辑，使现在的基带处理器包括一片 DSP、一个微处理器/控 制器、以及 ADC 和 DAC 控制 RF 和复合音频信号。为了配合这些变化，基带的 DC 电源从低电流 LDO 转为由中等电流 LDO 提供，LDO 工作电压也从原先的 2.8-3.0V 进一步减小，以支持处理器内核电压的下降。 图2 NCP500 LDO 内部电路图 图 2 是一典型的 LDO 电路。LDO电路相对比较简单，包含通过元件、误差放大器/ 反馈电路以及电压参考。外接元件是输入和输出电容各一个。LDO 具有低噪声输出，高 电源抑制，快速负载响应以及低静态电流等特点。由于通过元件在线性模式下工作，无 需完全开和关，因此该架构可实现低静态电流。LDO 只能降低电压，而且当 Vin 和 Vout 之间的压差增大时，其效率较低。 图3 标准降压稳压器电路图，内部电路较为复杂 图3 所示为降压稳压器电路，内部电路包含高侧和低侧通过元件、误差放大器/反 馈电路、振荡器、限流和热关断保护电路，以及各种逻辑功能。要求的外接元件包括输 入和输出电容以及电感器。电容值一般为 LDO 电容的 10-20 倍。开关稳压器的优点是 效率高，通过正确的配置，可以降低电压。缺点是输出纹波较高，这可以通过各种技术 来控制。由于需要附加电路构成开关电路，且通过元件每个周期的开关都需要电能，开 关稳压器的静态电流较高。这等于对 MOSFET 栅极电容进行完全充放电，而在稳定状 态下，LDO 只对栅极电荷作很小的调整。另外，在既定的输出电流情况下，导通晶体 管与 LDO 相比，处理的峰值开关电流更大。在输入输出间压差增加时，使用 PWM 降 压转换器的优势便更为突显。 CDMA2000 1x 手机的普通基带处理器负载要求范围为 60 到 120mA。当前的亚微 米数字处理结构，微处理器内核要求 1.5 或 1.8V 的供电电压，输入/输出缓冲器要求 2.5- 3.0V 的电压。未来年间，数字处理器的体积会日渐趋小，内核电压将降到 1V 以下，而 输入/输出环节电压仍保持在 2.5V 以上，以支持与模拟电路的连接。图4 说明了开关和 线性稳压器在为目前采用的基带处理器电压时的效率差异。当电池电压为 3.6V，即单节 锂离子电池的通常工作点时，开关稳压器的芯片电源效率比 LDO 的高一倍。只有在 1.0V 以下的基带处理器正常工作时，两者的效率差别才增大，原因在于锂离子和锂离子聚合 物的化学性质将单节电池的电压固定在 2.7-4.2V 的范围内。降压转换器的主要缺点是， 在轻载时比如手机待机时