Bi3.75Ce0.25笛Ti3O12电致阻变薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

第36卷 第4期 兵器材料科学与工程 Vo1．36 No．4 2013年 7月 0RDNANCEMATERIALSCIENCEAND ENGINEERING July，2013 网络出版时间：2013—6．248：42 网络出版地址：http：／／www．cnki．net／kcms／detail／33．1331．TJ0842．001．htm1 B Ce0TiO2电致阻变薄膜的制备及其性能研究 孙丙成 ，王华，许积文，杨玲 (广西信息材料重点实验室桂林电子科技大学材料科学与工程学院，广西桂林 541004) 摘 要 采用溶胶一凝胶工艺在PtT／iOdSi衬底上制备瓯 ce。Ti，O。电致阻变薄膜 ，研究退火温度对 ce。Ti。O。薄膜结 构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备B CeTi，O 薄膜具 有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度BiCeo5Ti，O：薄膜的低 、高阻态电流 比k 在 10 106，在600。C时有2．5v的 最低 电压 。无论是高阻态还是低阻态，Bi”5ce Ti，O：薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大，介电损耗则随退 火温度的升高而减小，高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主，在高 阻态的高压区以空间电荷限制电流(scLc)传导为主。 关键词 跳 ，c Ti，O薄膜；溶胶一凝胶 ；阻变性能；介电性能 中图分类号 TM242 文献标志码 A 文章编号 1004—244X(2013)40—0019—04 PreparationandpropertiesofBis．75Ceo ． 25Tia012resistiveswitchingthinfilms SUNBingcheng，WANGHua，XUJiwen，YANGLing (GuangxiKeyLaboratoryofInformationMaterials，SchoolofMaterialScienceandEngineering，GuilinUniversity ofElectronicTechnology，Guilin541004，China) Abstract Bi37sCeozsTis012thinfilmswerepreparedonPt／TiOdSisubstratesbysol-gelmethod．Thestructureandresistive switchingcharacteristicsanddielectricpropertiesofBi37sCeo25Ti30I2thinfilmsannealedatvarioustemperatureswerestudied． Thethinfilmsshowthataperovskitephase，andclearcurrentratioofdifferentresistancewith10 Rs10 ayeobservedat differenttemperatures．Thelowestoperationvoltage(2．5V)appearsat600℃．Inthehighresistancestate(HRS)orthelow resistancestate(LRS)，thedielectricconstantriseswithincreasingtemperatures，anddielectriclossdecreases．Bothdielectric constantanddielectriclossofHRSarehigherthanthoseofLRS．Itisalsofoundthat