Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究.pdfVIP

第 27卷 第 2期 聊城大学学报 (自然科学版) VoI．27No．2 2014年 6月 JournalofLiaochengUniversity(Nat．Sci．) Jun．2O14 Zn0 Cd0 ． 5 ． 5S：Eu3+半导体材料的燃烧法制备 及发光性能研究 刘建秀 张大凤 蒲锡鹏 (聊城大学 材料科学与工程学院，山东 聊城 252059) 摘 要 以硫脲为硫源，采用燃烧法制备 了Zn Cd S：Eu。半导体材料．研 究了Eu掺杂量对 Zn。 ． Cd。S：Eu计半导体材料的结构，形貌 ，固体漫反射 以及发光性能的影响．利 用 X一射线粉末 衍射仪 (XRD)，扫描 电子显微镜 (SEM)，紫外一可见分光光度计 (UV—vis)和 荧光分光光度计 (PL) 对样品进行 了表征．结果表明：Eu掺杂量对样 品的结构和形貌没有 明显的变化 ，但对其发光性 能却有着显著地影响．3-Eu掺杂量为3 时所制备的Zn Cd S：Eu抖半导体材料的发光性能 为最强． 关键词 Zn。_5Cd。S：Eu”，燃烧法，发光性 中图分类号 0644 文献标识码 A 文章编号 1672—6634(2014)02—0056—04 O 引言 近几年来 ，半导体由于具有优异的性能：掺杂性 ，热敏性和光敏性等，而在光学、磁学、催化领域等 (如 发光二极管、太阳能电池、传感器 、光催化等领域)_1具有广泛的应用．其 中，Zn…CdS作为一种直接半导 体材料 ，具有六方和立方相两种晶体类型．正是 由于它可 以通过改变 Zn／Cd的比例来控制 Zn一CdS的 禁带宽度 ．相比ZnS和CdS半导体材料而言，zn一CdS半导体材料更具有研究价值． 目前Zn CA~．S半导体材料的制备方法主要有：化学沉积法 ，共沉淀法，微乳液法，热解法，微波辅助法 等|3]．据我们所知，与这些传统制备方法相比，燃烧法具有操作方法简单，中间环节少，能源消耗低 等优点而 被广泛使用．而 Eu激活的Zn ( s可以作为一种高效的荧光材料，可以广泛应用于 LED荧光粉方面． 本文以价格低廉的硫脲作为燃料和还原剂 ，采用燃烧法成功制备 出Zn。Cd S：Eu。半导体材料，并 系统地研究了Eu掺杂量对所制备样品的结构 ，形貌 ，漫反射及发光等性能的影响． 1 实验部分 1．1 样品的制备 实验所需的原料主要有：氧化铕 (4N)，四水合硝酸锌 (AR)，六水合硝酸镉 (AR)，硫脲 (AR)和去离子 水．所用原料在使用之前并未进行任何 的净化处理． 制备过程 ：首先 ，用一定量的浓硝酸溶解氧化铕 ，再将多余 的酸蒸发 ；然后向其 中加入 2OmL去离子 水 ，得到硝酸铕的澄清溶液 A．按化学计量 比称量硝酸锌和硝酸镉试剂 ，向其 中加 了去离子水进行溶解 ，混 合均匀后再向其中加入一定量的硫脲 ，得到澄清溶液 B．最后 ，在溶液 A搅拌的情况下，将溶液 B缓慢滴 入到溶液 A中，直至 B全部滴加完，得到混合溶液．将混合溶液置于电磁搅拌 电热套上进行边搅拌边加 收稿 日期 ：201404—15 基金项 目：国家 自然科学基金 ；聊城大学大学生科技文化创新基金(SF2013032) 通讯作者 ：张大风 ，E—mail：zhangdafeng@lcu．edu．cn． 第 2期 刘建秀等 ：Zn Cd S：Eu。。。半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究 57 热 ，直到溶液成为胶状物 ，得到前驱体．最后把前驱体放到 300~C的马弗炉 中煅烧 ，在煅烧过程 中混合物开 始鼓泡、剧烈燃烧，并放出大量黄色有刺激性气味气体 ，最终生成淡黄色疏松多孔泡沫状样 品．将样品研磨 后进行表征． 1．2 测试手段 用 x射线粉末衍射仪 (D8ADVANCE)对样 品的物相结构进行表征，用扫描 电子显徽镜 (JSM 6380LV)观察 了样品的微观形貌，用紫外一可见分光光度计 (ShimadzuUV一3600)对样品的固体漫反射性 能进行表征，用荧光分光