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·48 · 材料导报:研究篇 2009年 11月(下)第23卷第 11期
溶胶一凝胶法在 3D-SiC陶瓷表面浸涂Al2o3薄膜的研究
闫海乐,茹红强,喻 亮,里景阳,魏文韬,岳新艳
(东北大学材料与冶金学院材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳 110OO4)
摘要 以无机盐Al(NO3)s·9H2O为先驱体、水为溶剂,加入不同浓度的胶溶剂 HN()3,采用溶胶一凝胶 (Sol-
ge1)法制备了勃姆石 (AlOOH)溶胶。分别以溶液下降法和真空浸渍法在三维网络碳化硅陶瓷骨架 (3I)-SiC)表面
浸涂 AlOOH溶胶,采用不同烧结制度在3D-SiC表面生成了Al2()3薄膜。采用x射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪
(IR)和扫描电子显微镜(SEM)分析 了薄膜的物相和显微结构,并检测了薄膜的抗热震性。结果表明,采用真空浸溃
法在3D-SiC表面浸涂加入浓度0.22mol/LHN03制备的 Al00H溶胶能烧结形成致密平整的 203薄膜。升高
烧结温度,AJ2 晶粒长大,900℃时薄膜最致密且能观测到玻璃态显微结构。薄膜的抗热震性随烧结温度升高而提高。
关键词 溶胶一凝胶法 真空浸渍法 z()3薄膜 三维网络碳化硅 抗热震性
ResearchofAI2o3Film ontheSurfaceof3D-SiC CeramicsbySol—gelM ethod
YAN Haile,RU Hongqiang,YULiang,LIJingyang,WEIWentao,YUEXinyan
(KeyLaboratoryforAnisotropyandTextureofMaterialsoftheMinistryofEducation,SchoolofMaterials Metallurgy,
NortheasternUniversity,Shenyang110004)
Abstract ThepreparationprocessofA1203thinfilm isrepresentedbythesobgelmethod,inwhichA1(NO3)3 ·
9HzO isusedasprecusor,waterandHNO3assolventandpeptizingagent,respectively.Dip-coatingandvacuum im—
pregnationmethodsareUSedtOcoaty-AlOOH SOIsolutiononthree-dimensionalsiliconcarbidesinteredatdifferent
temperaturetoforrnA12O3thinfilm.X-raydiffraction(XRD),infraredspectrometry(IR),scanningelectronicmicro—
scope(SEM)areusedtostudythemicrostructureandphaseconstitutionofthefilm.Theinvestigationclearlyshows
thatthethinfilm whichpreparedfrom 7-A1OOH solsolutionadded0.22mol/LHNOswithvacuum impregnation
method,iscoatedonthree-dimensionalsiliconcarbideperfectly.ThegrainofA12Oaincreaseswiththesinteringtern—
peratureincraesing.Thethinfilm isfulldensityat9oooc,andtheglassmicrostructureisobserved.Thethermal
shockresistanceoftheAlz03thinfilm incraeseswiththesinteringtemperatureincraesing.
Keywolds So l—gelmethod,vacuum impregnationm
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