交替溅射法制备BaM铁氧体薄膜的特性研究.pdfVIP

第38卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 V01．38 No．6 2009年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYsrrALS December，2009 交替溅射法制备BaM铁氧体薄膜的特性研究 张 弘 ，刘 曦 ，刘小晰 ，魏福林 ，A．S．Kamzin，贺德衍 (1．兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000；2．日本国立信州大学工学部情报工学科 。长野 380—8553； 3．俄罗斯约飞物理技术研究所，圣彼得堡 194121) 摘要：以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜。对所沉积的薄膜进行了两种不 同方式的热处理。通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD)，逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微 镜 (AFM)等微观结构的分析和宏观磁性的测试，结果表明两步骤退火过程对于垂直取向结构的形成是有利的。 关键词：钡铁氧体薄膜；垂直各向异性；穆斯堡尔谱 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2009)06—1380434 ResearchonBaM FerriteFilmsSynthesized byAlternateSputteringM ethod ZHANGHong ，LIUXi， UXiao—xi，WEIFu—lin ，A．S．Kamzin。 HE De—yah ， (1．SchoolofPhysicalScienceandTechnology，LanzhouUniversity，Lanzhou730000，China； 2．DepartmentofInformationEngineering，ShinshuUniversity，Nagano3808·553，Japan； 3．1effePhysicoteehnicalInstitute，RussianAcademyofScience，St．Petersburg194121，Russia) (Received1FebruaO2009，accepted10 r／12009) Abstract：TheBaM ferritefilmswithfinegrainsizeassmallas30nm werepreparedbyreactiveRFdiode sputteringmethod，usingalternate depositingprocess．Itisfound thattwo step annealingprocessis beneficialforfilmstoofrm perpendicularorientationstructures，whichwereidentifiedbymicrostructure measurementsuchasX-raydiffractionpattern(XRD)，conversionelectronMtissbauerspectra(CEMS) andatomicforcemicroscope(AFM)． Keywords：barium ferritefilm；perpendicularanisotropy；M6ssbauerspectra 1 引 言 众所周知，要提高磁记录物质的数据存储密度，势必要提高记录材料的矫顽力，还有可以降低磁头与介 质之间的距离。这就对介质的机械强度与化学稳定性有了更高的要求。在过去的十余年中，BaM型六角晶 系铁氧体薄膜 (分子式为BaFeO )因其高磁晶各向异性导致的高矫顽力，优异的记录