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《半导体材料分析》实验指导书 实验二：采用霍尔测试系统测试 n 型掺杂硅的电阻率及迁移率 指导教师：王如志 实验地点：材料楼 230 一 实验目的： 1 掌握霍尔测试系统的基本原理、组成及使用 2 学会如何用霍尔测试系统测试半导体的电阻率及迁移率 二 实验原理： 某一导体或者半导体材料处在互相垂直的磁场和电场中时，会在样品中产生一个横向 的电势差，这个电势差的方向与电流和磁场方向垂直，这种现象称为霍尔效应。显然，霍 尔效应的产生与带电粒子在电场合磁场作用下的运动密切相关。 图 1 样品的霍尔测试示意图 如图 1 所示，互相垂直的电场（E E ）和磁场（B Bz）同时施加在一个矩形半导体样 ex x 品上。为讨论问题方便，仅考虑杂志完全电离的情况，此时样品中参与导电的主要是多数 载流子，对于 n 型半导体来说是电子，对于 p 型半导体来说是空穴。在外电场作用下，半 导体中的载流子做定向漂移运动，并且假设所有载流子的漂移速度相等。因此，当载流子 在相互垂直的电场和磁场中运动并形成电流时，将受到沿着 y 或者-y 方向的洛伦兹力的作 用。显然，该霍尔电场对载流子产生的力与洛伦兹力方向相反，最终，这两种力会达到平 衡状态，意味着已经建立起稳定的霍尔电场，并且在 y 方向上不再有电流。需要注意的是， 此时半导体的电场已不再沿着 x 方向，而是向 y 方向上偏离一定的角度，这个电流和电场 之间的夹角称为霍尔角。霍尔电场强度 EH 与电流密度 J 和磁感应强度 B 的乘积成正比，即： E =R JB (1) H H 式中的 R 称为霍尔系数。在定义了霍尔电场的正负方向后，霍尔系数将有正负之分。 H 在图 1 中，若电流沿着 x 轴的正方向，磁场沿着 z 轴正方向，则对于 p 型半导体来说， 霍尔沿着 y方向（定义为正方向），此时的 E 0，与此对应的 R 0；与之相反，对于 n 型半 H H 导体来说，此时的 E 0, R 0。因此，从霍尔系数的正负可以判断半导体材料的导电类型。 H H 1958 年范德堡提出了一种非常方便的技术，解决了任意形状的薄膜层霍尔效应测试的 1 问题。范德堡技术的特点在于：在计算薄膜电阻或薄膜载流子浓度时不需要测量样品的尺 寸，只要求样品为片状、平整、均一、各向同性和单一整体（无孤立孔洞）。图2 所示的是 一个应用范德堡技术的霍尔效应测试仪的系统示意图。从图中可以看出，霍尔效应测试仪 大致包括变温测试单元以及高阻抗扫描器、低阻抗扫描器、电压计、电流计、电源、控制 和数据处理等单元。 图2 霍尔效应测试系统示意图 制备霍尔效应测试的样品时，可以采用几种不同的几何结构。在决定应该采用哪种结 构时，要考虑以下几个因素：①样品的有效尺寸；②实用的制备技术；③测试的时间限制； ④所需要的精度；⑤磁阻测量的需要。图 3 给出了 6 种最常用的结构。其中(a)和(b)是霍 尔条结构，(c)—(f)属于范德堡技术测试样品结构。 图 3 霍尔测试常用的样品形状和电极结构 （a）霍尔条；（b）带接触臂的霍尔条；（c）正方形；（d）四臂长度相等的十字架；（e）圆；（f）苜蓿叶型 我们经常实用的是(c)结构，尺寸大小为 10mm x 10mm，然后在四个角制备尺寸为 1mm 或更小的接触电极。