中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S A p r 中国首根太空砷化镓单晶的 表面形貌和某些设计考虑 周伯骏　　王占国 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　 本文展示了我国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有 8 个小平面的表面 形貌. 在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系 数不同可能引起的损坏, 还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法. 考虑到供电仅 限于 90 , 所设计的温控曲线非常好, 使空间生长 单晶获得成功. m in GaA s PACC: 6 150C , 6 150J 1　引言 从 1987 年 8 月 5 日发射的回地卫星上我国首根太空砷化镓单晶一次生长成功至今已 11 年, 虽然对单晶的生长和测量分析有多篇文章报道[ 1～ 3 ] , 但从未详述单晶表面形貌, 为此 本文作一介绍. 另外, 从开始升温算起炉子供电仅 90 的苟刻条件下为何能顺利生长直 m in 径 1 , 长分别为 1 和 7 的两块单晶, 从而一举达到当时世界先进水平? 不少学者对 cm cm mm 生长容器的设计和温控曲线的设计很感兴趣, 为此本文一并介绍. 2　单晶外貌 为在有限时间内取得最佳结果, 我们采用地面生长好的〈100 〉方向掺 T e 的GaA s 单晶 圆棒, 使其中部在空间重熔后再结晶 [ 1 ] 生长出太空单晶 . 由于设计中考虑 到为避免因表面张力造成熔体缩成一 团并与管壁接触的问题, 在单晶圆棒 近两端处有扁圆孔, 在石英容器中有 插销. 从生长结果可断定在开始生长 ( ) 图 1　生长后的晶体和石英容器 部分切开 时熔体两端粗中间细, 似两个相对而 顶部相连的火炬头, 两端晶体圆棒似火炬把. 我们将生长后的石英容器部分切开, 如图 1 照 片所示. 左边的火矩头状单晶称作 号单晶, 右边的为 号单晶. 号单晶被多晶所包围, 这 周伯骏　男, 1939 年生, 研究员, 从事地面、空间和超重条件下的砷化镓单晶生长和光电子器件耦合工艺 收到,定稿 4 期　　　　　周伯骏等: 　中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑　　　　　　 325 是