摻氮磷化鎵之光學特性分析.docVIP

摻氮磷化鎵之光學特性分析 張郁妮+、黃旭晴+、郭艷光*、蘇永司** (+研究生，*助理教授) 國立彰化師範大學物理研究所 **國聯光電科技股份有限公司 e-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 摘要 本文將對摻氮的磷化鎵做回顧性的介紹，並且以光激螢光法做光學特性的量測與分析，探討氮在磷化鎵中所造成的效應。 一、簡介 就光電半導體材料而言，如果我們以電子躍遷的特性來區分，可以概分為兩大類，第一類為直接能隙(Direct Bandgap)材料，發光的效率較高，(Indirect Bandgap)材料，發光的效率較差，而磷化鎵(GaP)屬於間接能隙的III-V光電半導體材料，電子在導電帶的點與價電帶的點之間躍遷時具有最小的能帶間隙(Energy Bandgap) 2.26eV[1]，550nm左右的綠光，發光的效率並不高。III-V光電半導體材料，氮化鎵(GaN)為一直接能隙的半導體，其發光效率比磷化鎵來的好，而且氮與磷皆為週期表中第V族的元素，所以如果將氮摻雜到磷化鎵中，氮將會取代磷，如此便可視為是磷化鎵與氮化鎵的組合，稱為氮磷化鎵，其一般的表示法為GaP1-xNx。(Isoelectronic Doping)，被摻入的氮稱為均電性雜質(Isoelectronic Impurity)。 均電性的雜質普遍有吸引Exciton的特性，就摻有氮的磷化鎵而言，由於氮的電負度比較大，會造成一些短範圍的淺層能階而吸引電子，電子再經由庫倫作用力而吸引電洞，此時便形成了Exciton[2]，這些 Exciton分別被命名為NN1、NN2、NN3…NNA0，右下角所標的數字愈大，表示氮與氮之間的距離愈遠，NN1代表被同一個鎵相鄰的兩個氮原子所束縛的Exciton，其對應的能量為2.18eV[3]，NN2是由距離稍遠的兩個氮所束縛的Exciton，其對應的能量為2.19eV[4]，依此類推，NN3為2.26eV，NN4為2.29eV[3]，而NNA0則為被孤立的N所束縛的Exciton，5eV[4]。 .30.2meV、26.7eV0.4meV[5]、與50.1meV[1]，這些聲子會與Exciton的能階產生交互作用而造成除了NNi (i = 1、2、3、…)以外的新能階，如NN1-TA、NN1-LA、NN1-LO-TA[6]等，其中減號表示放出能量給聲子，所以屬於這些能階對應的發光波長會比屬於NNi的稍長。7]。在氮的摻雜濃度小於1.0×1020cm-3 時，發光強度隨氮的濃度而增強；但是在氮的濃度超過2.5×1020cm-3(1%)之後，發光強度反而隨氮濃度的增加而下降。 就晶格常數而言，磷化鎵與氮化鎵是不匹配的(相差約20%)，所以若摻雜的氮過多，將會形成晶體內的缺陷，因此會降低發光效率[7]。一般而言，三元化合物如氮化銦鎵(InGaN)的能帶間隙將會介於氮化銦(InN)與氮化鎵(GaN)之間，實際能帶間隙的大小視混合的比例而定。， GaP1-xNx的直接能帶間隙與間接能帶間隙可以用以下的公式表示 [7]： E((x)=2.780+0.660x-14.103x(1-x) (1) EX(x)=2.268+1.732x-14.103x(1-x) (2) 由上述公式可知，GaP1-xNx在x小於0.48時屬於間接能隙型材料(E(EX)，在x大於0.48時屬於直接能隙型材料(E(EX)。值得一提的是，在x很小的時候(亦即，在氮的摻雜濃度很低的時候)，GaP1-xNx(2)所算出來的小一些[7]，亦即，GaP1-xNx的發光波長相較於公式(2)的預測值會有些許的紅位移。 此外，摻氮的磷化鎵的發光頻譜也會因為氮的摻雜比例不同而有很大的變化。cm-3 (x(0.0004%)，摻雜的濃度相當低，目的是為了確保其均電性摻雜的特性。 我們所使用的測量方法是光激螢光法(Photoluminescence，簡稱PL)，以氬離子雷射做為激發光源，雷射輸出波長為488.0nm。在做變溫實驗時，雷射打在樣品上的功率固定在35mW，做變化功率的實驗時，功率由1.4mW漸變至35mW。另一方面，我們使用閉循環式的氦冷卻系統與一組加熱系統來控制半導體晶片的溫度。 圖一至圖六分別為摻氮的磷化鎵在300K、250K、200K、150K、100K、50K的發光頻譜，圖七為50K的局部放大圖，圖八與圖九分別為30K與14K的發光頻譜。顯然地，發光頻譜隨溫度有很大的變化。如圖一所示，在300K時元件的發光強度很弱，而且只有一個主要的寬頻帶發光頻譜，中心波長約在565nm左右，其對應的光子能量為2.195eV，比磷化鎵在300K時的間接能帶間隙2.268eV來得小，這是因為如上一節所述，，300K也有增強的趨勢。如圖三所示，當溫度降至200K時，發光頻譜右方產生了一個