反应离子刻蚀工艺中的充电效应.pdfVIP

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2017-09-02 发布于重庆
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反应离子刻蚀工艺中的充电效应.pdf

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第 11 期电　　子　　学　　报 Vol. 28 　No. 11 　2000 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov. 　2000 　反应离子刻蚀工艺中的充电效应胡恒升 ,张　敏 ( 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,上海 200233) ( ) 　　摘　要 : 　本文阐述了反应离子刻蚀 RIE 工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式. 并根据等离子体充电前后 Qbd 值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度. 关键词 : 　反应离子刻蚀 ; 等离子体不均匀 ; 充电效应中图分类号: 　TN40598 + 3 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2000) Modeling for Charging Effect during RIE Proce ssing HU Hengsheng ,ZHANG Min ( ) Microelectronics Branch , Shanghai Institute of Metallurgy , Chinese Academy of Sciences , Shanghai 200233 , China Abstract : 　In this paper ,the mechanism for charging effect during RIE processing is discussed. It is thought to be caused by plasma nonuniformity ,and an expression for plasma charging current is presented. The tunneling current density during plasma charging is calculated by comparing the difference of Q before and after plasma charging. bd Key words : 　RIE;plasma nonuniformity ;charging effect 1 　引言 22 　均匀的等离子体整个刻蚀系统的等效电容如图 1 所示, 鞘层电容 C 和　　随着集成电路线宽的不断减小 ,等离子体工艺对栅氧化