酞菁钴／SnO2纳米复合材料的原位合成及可见光光催化.pdfVIP

维普资讯 第23卷 第3期 应 用 化 学 Vo123No．3 2006年 3月 CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY Mar．2oo6 酞菁钴／Sno2纳米复合材料的原位合成及可见光光催化 王 芳 潘海波 黄金陵 陈耐生 范燕华 (福州大学功能材料研究所 福州350002) 摘 要 以co(Ⅱ)为模板，通过邻苯二腈在SnO纳米颗粒表面直接原位合成酞菁钴(co(Ⅱ)Pc)／SnO2纳米 复合材料，并采用XRD、TG．DTA、UV．Vis和FTI一IR等测试技术对合成产物进行了表征，同时对材料进行了可 见光光催化反应实验。实验结果表明，采用原位合成方法能够在SnO纳米表面上原位生成co(Ⅱ)Pe，在可见 光照射下，复合材料首先由CoPe吸收可见光 ，激发电子通过 c0—0键注入至纳米SnO2导带，并与O 气作用 形成超氧自由基，在 150min内使罗丹明B的可见光降解率达871％，且其催化活性经 10次循环使用，稳定 性较好。 关键词 SnO，酞菁钴，纳米复合材料，原位合成，光催化 中图分类号：0643 文献标识码：A 文章编号：1000-O518(2006)03-0246-05 SnO：是一种具有发展前景的半导体材料，目前已广泛应用于光催化 ¨、传感器 J、光电化学电极 J 等诸多领域。SnO：的禁带宽度为3．6eV，只能被小于350nm的紫外光激发才能产生电子一空穴对而具 有光催化活性，极大地限制了其在可见光区的应用。但是，相对于TiO (锐钛矿相禁带宽度3．2eV)， SnO：具有更负的导带电位与更正价带电位，意味着半导体SnO具有更强的还原及氧化能力。因此，通 过在SnO表面上复合一种稳定性好、在可见光区有强吸收的有机光敏染料来拓宽半导体的光谱响应， 并减少电子和空穴的复合几率，从而提高其在可见光区的光催化效应。金属酞菁化合物 (简称MPc)很 早就被用作光敏化剂，是一类性能优异的染料，具有 良好的光、电、热等特性，在可见光区(600～ 800nm)有强吸收。半导体氧化物被敏化后，在可见光照射下，敏化材料中MPc分子激发，光生电子向 半导体导带转移 ，以实现MPc上电荷的有效分离，再分别与材料表面吸附的HO、OH一、O：发生反应，生 成具有强氧化性的-OH和 ·O 等超氧 自由基团，与降解物分子反应，从而达到降解污染物的目的H]。 实现MPc单分散及MPc上电荷有效转移到 SnO成为本课题的关键。 目前，制备MPc／金属氧化物复合材料的方法主要有机械混合法、浸渍法 J、化学修饰法 等，前二 者工艺简单，但酞菁配合物和金属氧化物问主要是简单的物理吸附作用，使配合物吸收激发的电子转移 较困难；化学修饰法具有复合效率高、材料稳定性好等特性，但操作工艺复杂，一般要利用中问体对金属 氧化物表面进行预修饰，以及酞菁配合物易多聚等诸多问题。有机一无机纳米复合材料的原位复合工 艺，即有机、无机物不是预先制备其后再复合的方法，而是在复合过程中各 自生成。由此法合成的复合 纳米材料，不但具有合成工艺简单、两相复合均匀等特点，而且两相界面较清洁，有机、无机结构在界面 上易形成有效匹配，最终所获得的有机／无机复合材料可产生新颖的物理和化学特性。本文通过沉淀法 合成了Sn(OH)，采用邻苯二腈为金属酞菁碎片，以Co(Ⅱ)为模板，在纳米颗粒表面直接原位合成酞 菁钴／SnO：复合材料，通过多种方法对材料进行表征，并考察了其在可见光下的光催化活性及稳定性。 1 实验部分 1．1 试剂和仪器 SnC1 ·5H2O、Co(OAc) ·4H2O、DMF、NH3·H2O、邻苯二腈、Co(Ⅱ)Pc(AldrichChemical Company)、罗丹明B，及其它通用试剂均为分析纯试剂，实验用水为蒸馏水。 荷兰PhilipX—Perts-MPD型x射线粉末衍射仪，电压4OkV，电流40mA，Cu靶，扫描范围5。～9O。， 2005-052·1收稿，2005-09．16修回 国家自然科学基金和福建省教育厅(JB03008)资助项 【I 通讯联系人：潘海波，男，1962年生，副研究员；Email：hbpan@fzu．edu．c 研究方向：纳米功能材卡斗