用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究.pdfVIP

doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．12．004 技术-=5l8 用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究 专 张伟，刘泽文 栏一 (清华大学 微电子学研究所，北京 100084) 摘要：针对纳米悬浮结构的制作，对不 同温度和不 同气相条件下的氢氟酸 (HF)气相刻蚀 进行了研究。利用 自制的研究装置，使用 HF／水混合气体和 HF／乙醇混合 气体分别进行 了HF对 PECVDSi02的气相刻蚀实验 ，同时测量 了不同衬底温度下刻蚀速率的变化。研究结果表 明，在常 温常压下，HF／乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7．6nm／s，而 HF／水混合气体气相刻蚀速率约为 l1．5nm／s。在衬底温度分别为35，40和50 ℃时，HF／水混合气体的气相刻蚀速率分别为 10．25， 7．95和5．18nm／s。利用HF气相腐蚀进行 SiO，牺牲层释放，得到 了悬浮的纳米粱结构，梁与衬 底 的 间距为400nm。 关键词 ：氢氟酸 ；气相刻蚀 ；二氧化硅 ；纳米结构；微／纳机 电系统 中图分类号：TN303 文献标识码：A 文章编号：1003353X (2009)12．1166—40 StudyonHF Vapor-PhaseEtchingforSuspendedNano StructureFabrication ZhangWei，LiuZewen (InstituteofMicroelectronics，TsinghuaUniversity，Beifing100084，China) Abstract：HFvapor—phaseetchingwasstudiedunderdifferenttemperaturesand differentconditionsfor fabricationofsuspendednanostructure．Usingself-madeHFvapor-phaseetchingequipmentandusingHF／ H2O vaporandHF／CH3CH2OH vaporasworkinggas，PECVD SiO2sacrificiallayeretchingsareperformed． TheHF／H2Ovaporetchingratesaremeasuredrespecttodifferentsubstratetemperatures．Experimentalresults show thatthe etching rates of HF／H2O vapor and HF／CH3CH2OH are 11．5 and 7．6 nm／s at room temperatureand atmospherepressure．The HF／H20 vaporetching rate decreased with wafertemperature increasingnad are 10．25，7．95 and5．18 nm／satthe temperatureof35，40 and50 ℃ ，respectively． Nanosuspendedstructurewith400 nm gapbetweenstructureandwafersubstrateisfabricatedbytheHFvapor phaseetchingmethod． Keywords：HF；vapor—phaseetching；SiO2；nanosturcture；MEMS／NEMS EEACC：2550 容易使可动结构发生粘连…，从而导致工艺失败 。 0 引言 为了解决这一问题 ，研究者提 出了多种不 同的方 在 MEMS／NEMS加工的过程中，牺牲层的刻蚀