GaAs（100）表面氧化的XPS研究.pdfVIP

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2017-09-02 发布于重庆
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GaAs（100）表面氧化的XPS研究.pdf

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第! 卷# 第! 期化学物理学报 $%’ ! ，(%’ ! )**+ 年) 月 ,-.(/0/ 1234(56 27 ,-/8.,56 9-:0.,0 7;=?=@ ，)**A !**AB !AC )**+C *!B*DB+ !#$（% ）表面氧化的’() 研究 ? ， ! ? 任殿胜，# 王# 为，# 李雨辰，# 严如岳（?’ 天津大学化工学院，天津# A***) ；# ’ 中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津# A**!S) ）摘# 要：# 用T 射线光电子能谱仪（T90 ）研究了砷化镓（U?5E ）晶片在空气中的热氧化和在紫外光B臭氧激发下的氧化反应’ 分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等’ 研究表明，两种氧化方法的氧化过程不同，在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同，热氧化下氧化层主要由U? 2 、5E 2 、 ) A ) A 5E 2 以及少量元素5E 组成，而且表面明显富镓；紫外光激发下生成的氧化物主要为U? 2 和5E 2 ，镓砷比与 ) V ) A ) A 本体一致’ 讨论了可能的反应机理，紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子，增加了氧的反应活性；同时也激发了U?5E 材料的价电子，使其更容易被氧化’ 关键词：# T90 ；砷化镓；表面氧化中图分类号：W(A*+ ’ ) ；2X+# # # 文献标识码：5 )*+,-.$ /0 12-,*-/3 /3 !#$（% ）)+405. 67 ’() ? ， ! ? 4;G YI?GEL;GJ ，# Z?GJ Z;I ，# 6I :PL;G ，# :?G 4@; （! #$%’ ( )%*+,$!’ -./,.**0,./ !.1 2*$%.’/3 ，2,!.4 ,. 5.,6*07,83 ，2,!.4 ,.9 A***) ； : 2,!.4 ,. -’*$80.,$ ;!8*0,!’7 .78,8=8* ， ? @A VV ，2,!.4 ,.9 A**!S) ） #6$*45*8 TB=?@ FL%K%;;PK=%G EF;PK=%EP%F@ （T90 ）[?E E;H K% EKH@ K[% HIRR;=;GK %\IH?KI%G K=;?KM;GKE %G KL; U?5E （!** ）E=R?P;———KL; KL;=M? %\IH?KI%G IG KL;