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- 2017-09-01 发布于安徽
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微电子工艺技术
第十二讲 工艺集成
钱 鹤
清华大学微纳电子系
Cross-Section of CMOS
Technology
CMOS n-well Technology
现代集成电路的结构演进
High k, 金属栅和应变沟道
16nm及以下将放弃一直沿用的“平面器件结构”,
而采用FinFET器件结构
示意图
S G D D G S
+ +
p p n+ n+
STI
n 阱 p 阱
p
这是典型的CMOS器件剖面结构,不
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