基本电气元件 半导体元件.pptxVIP

第一章基本电气元件基本电气元件电子元器件综述1.1 电阻 电容 电感元件1.2 半导体元件1.2 半导体元件 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的半导体（semiconductor）——材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。半导体的一些电学特性 ①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化． 　用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化． ②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小． 　用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化． ③光敏性，有的半导体在光照下电阻大为减小． 　用途：制成光敏电阻，用于对光照反映灵敏的自动控制设备中． 1.2.1 半导体及PN结1.2.2 半导体二极管1.2.3 半导体三极管1.2.4 晶闸管1.2.5 集成电路下一页返回1.2.1 半导体及PN结 半导体可分为本征半导体和杂质半导体。本征半导体 化学成分纯净、结构完整的半导体。杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体。 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。 根据掺杂元素的性质，杂质半导体分为P型（空穴型）半导体和N型（电子型）半导体。P型（positive）半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一空穴。在P型半导体中，空穴的浓度远大于自由电子的浓度。N（negative）型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素如磷、砷和锑等，可形成N型半导体，也称电子型半导体。 1．PN结的形成 2．PN结的单向导电性PN结正向偏置：P区的电位高于N区的电位称为加正向电压PN结反向偏置：P区的电位低于N区的电位称为加反向电压PN结的击穿PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。1.2.2 二极管下一页返回一．二极管的结构点接触型二极管 PN结面积小，用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管 PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。二、二极管的伏安特性二极管的图形符号三、二极管的主要参数1．二极管的主要参数最大整流电流IDM（IF）最大反向工作电压URM 最大反向电流IRM最高工作频率fM下一页返回2．二极管的大信号模型 根据二极管伏安特性，可把它导通和截止两种状态。（导通电压Ud）对于硅管来说当ud0.7V时就截止，当ud0.7V时就导通。对于锗管来说当ud0.2V时就截止，当ud0.2V时就导通。下一页返回3. 二极管的性能测试 如果测得正、反向电阻均为无穷大，说明内部断路； 若测量值均为零，则说明内部短路；如测得正、反向电阻几乎一样大，这样的二极管已经失去单向导电性，没有使用价值了。二极管正、反向电阻的测量值相差愈大愈好。 四、 几种常见的特殊二极管1．稳压二极管的符号及伏安特性下一页返回2．光电二极管的符号及实物图光电二极管的特点： 使用时要反向接入电路中，即其正极接电源负极，负极接电源正极。 下一页返回3．发光二极管的符号、伏安特性及实物图下一页返回4、 激光二极管激光二极管简称激光管。受激励能产生激光的二极管。激光管与普通二极管的差异是有一个光谐振腔（由两个互相平行并与PN结严格垂直的光学平面镜组成）。激光二极管工作时发射的主要是红外线，广泛用于激光条码阅读器、激光打印机、光盘CD/VCD/DVD及激光测量等设备上，具有体积小、重量轻、功率转换效率高和调制方便等优点。1.2.3 三极管一、三极管的结构1. 三极管的分类按照结构分：NPN型和PNP型按照功率分：小功率管 500mW 中功率管 0.5~1W 大功率管 1W按照频率分：高频管、低频管按照材料分：硅管、锗管等2.管型的判别 第一部分的3表示三极管。第二位(字母):第三部分表示功能:例如： 　3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管 　3CG 为PNP型高频小功率管 3DG 为NPN型高频小功率管 　3AD 为PNP型低频大功率管 3DD 为NPN型低频大功率管 　3CA 为PNP型高频大功率管 3DA 为NPN型高频大功率管A表示PNP型