多元氧化物纳米材料的制备及发光特性.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 多元氧化物材料具有可改变组元以调控其性能的优点，可用于紫外光电探测器、气体 感应探测、薄膜太阳能电池等领域。本文选择 Zn-Sn-O 三元体系作为研究对象，采用热 蒸发气相沉积技术，开展相关纳米材料可控制备和常规表征分析工作，并进行发光性能 调控等方面的探索，取得部分有意义的研究成果，主要研究内容及结果如下： (1) Zn SnO 纳米材料的合成及发光特性 2 4 以Zn/SnO /活性炭混合粉末为原料，采用碳热还原热蒸发方法，制备出形貌类似豆荚 2 的Zn SnO 纳米材料。X 射线衍射图谱(XRD)与拉曼(Raman)光谱分析证实，产物中存在 2 4 少量ZnO 成分。进一步的X 射线光电子能谱(XPS)数据分析，半定量给出ZnO 相比例(At.% 8.49) ；同时还表明产物中Zn 和Sn 分别是以+2 和+4 价氧化态存在，其中Zn2p3/2 有两 个结合能分别来自ZnO 和Zn SnO ，且Zn SnO 中Sn4+ 占据两个不同的格点位置。室温 2 4 2 4 下光致发光(PL)谱结果显 ，除了常见的黄橙发光峰外，主要与氧空位和锌填隙等点缺陷 相关，还存在明显的紫外发射，高斯分峰拟合为358 nm 和385 nm 两个发光峰，经过与 纯相ZnO 发光光谱对比，确认358 nm 发光峰来自于Zn SnO 的近带边复合发光。 2 4 (2) Sn 掺杂浓度对ZnO 纳米材料结构及发光性能的影响 以Sn 粉和Zn 粉为原料，通过改变反应锡锌摩尔配比(Tin/Zinc 摩尔比分别为0.11， 0.2，0.33，0.5)，制备出不同Sn 掺杂浓度ZnO 纳米材料，扫描电镜(SEM)形貌观察结果 显 ：随着锡锌摩尔比的增加，产物的形貌由纳米针转变为纳米铅笔、纳米片针、纳米螺 旋；X 射线衍射图谱结果表明掺杂并未引入其它杂相，同时掺杂的浓度高低会引起晶格常 数的变化；能谱分析仪(EDS)证实了Sn 的掺杂浓度(At.%)范围从0 变化到1.378 % ；室温 下光致发光光谱(PL)谱显 ，随着掺杂浓度升高，Zn Sn O 纳米材料的近带边发光峰 1-x x 4 (NBE)略微蓝移；最后从原子晶格替位角度探讨掺杂对晶格结构影响，从浓度改变引起的 Burstein Moss 效应来解释发光性能调控的机理。 (3) Sn 掺杂ZnO 周期调制纳米结构 在较低温度(800 ℃)条件下无催化制备Sn 掺杂ZnO 周期调制纳米结构，周期单元长 度为25 ~ 30 nm；高倍TEM 电镜显示单元与单元之间被非均匀过渡层- “反转界面”(IBs) I 中文摘要 隔开，过渡层厚度在2.4 ~ 3 nm ；XRD 结果显示该结构有可能沿c 轴择优生长，这与高倍 TEM 晶格观察结果一致；与此前报道In 掺杂的ZnO 调制纳米结构不同，此种ZnO 调制 纳米结构尚未在Sn 掺杂ZnO 纳米材料中报道过；最后从 解晶格应变能角度考虑，提出 可能的原子结构模型，解释了这种自组装构建过程。 关键词：Zn SnO 纳米材料；掺杂效应；光致发光；结构调制 2 4 II 英文摘要 Abstract The ternary oxides have wide applicati