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真空科学与技术学报 第25卷增刊
SCIENCEAND
JOI瓜NAI．OFVACUUM TECHNOLOGY(CHINA)2005年12月
常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究
杜军1，2杜丕一1’韩高荣1 翁文剑1 汪建勋1
(1．浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027；2．南昌大学化学工程系南昌330029)
PressureChemical of FilmsonGlass
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Chenucal
Keywords vapor disilicide，Fdm
deposition，Tltamum
摘要高导电性TiSu薄膜对低频电磁波有高反射率。在玻璃基片上成功制备TiS-z薄膜有望开发形成一种新型低辐射
镀膜玻璃。本文结合工业在线和大面积生产的特点，以常压化学气相沉积法研究了伍％在玻璃基板上生长、制备及其与性能
问的关系。研究发现：反应在温度低于680℃时，为反应控制；在高于680℃时，为传质控制。在700℃，Sz／Ti摩尔比为3时，
越好，则电阻越小。
关键词化学气相沉积硅化钛薄膜
1+1 文献标识码：A 文章编号：16防7126(20c15)增．068-04
中图分类号：TQm．72+4；TQl34
随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展，设转变；相对差的台阶覆盖率；还有大的硅基底消
备和器件尺寸越来越小，器件的寄生电阻对器件的 耗【3]3。而化学气相沉积(CVD)则可完全或部分克服
不利影响越来越大。由于TkSi2具有高导
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