高结晶性碳纳米线圈的制备及其成长机理的研究.pdfVIP

第一屠垒国纳米材抖与结梅捡测与表征6}f对会(摘要『论变粜) {啵舢年7月2日_3日 ／高结晶性碳纳米线圈的制备及其成长机理的研究 ＼，，j 潘路军1．金日亮2，秋w成司’，中山喜万’ 大连理工大学物理与光电工程学院，3大阪府王太学．’大陂大学 Emall uIeducn lpan@dI 螺旋形J垃长的碳纳米线圈(cNc)．山于其特异的下性螺旋形态和纳米尺度，在微小 电磁波发生源、微小诱导性线圈、自控装置用微小弹簧等微纳机【U系统和纳米器件中的 应用、特别是作为高效电磁被吸收材料在防I』．In磁辐射、保障信息安个及隐身技术I。的 应用而备受期待。随着这此领域的新拉展和H益提高的技术监求，对cNc彤态的挖制， 高结晶性cNc的制各以及对其成长机理的研究H趋重要．成为碳纳米线圈研究t}极为重 要的组成部分。 至今为止，我们利用蒸锼在氧化钢锡(IT0)E的Fe作为催化剂，利用化学zL扣沉积 法(cVD)制备图】所示的高效J啦长的碳纳米线圈”，其线径在50nm筝数亓nm之间，线圈外 径分却于】00nm至lum之间。这种方法生成的 cNc成长率高，{日是H是部分结晶，达不到碳 纳米管那样的高结品性。特别是随着线径的增 加，其结晶性也越来越低下，线径达100nm以 上后，基本变为非晶碳结构”。在此之后，通 过利用溅射法制备的Fe—In—sn一0混合催化剂 薄膜在硅基板上制备出太面积均匀成长的 cNc”，而且cNc的直释降低并集中十l00nm附 近，但是美中不足，其结晶性仍然缺乏。我们 也试尝用用有机金属溶液为催化荆前躯体来制 备cNc，得剑的cNc在外往r可控”，但是结晶性 是需要解决的问题。G xu等使川Fe，0。和 snO，混合粉体作催化剂来人量制备cNc，但是 制各出的cNc外径大，并且分布』“。 综合至今的实验结果，可以得知小外释的 cNc可能具有较高的结晶性。为r实现线嘲的 小外径化，制各具有纳米级直径、组成均匀的 催化剂颗粒就是关键的途径。本研究就是采刖 真空电弧等离子体沉积(vAPD)法“制蔷组成均 匀的Fe—s n催化剂薄膜并用以制备高结晶性 CNC。 图2以Fe．sn史0C{{!薄膜为催化荆制蔷的cNc。 Fe．sn一元催化剂薄膜由vAPD法制备。 有Fe和sn蒸发i0霁，可以同时或变替在基板上沉积Fe和sn薄膜。薄膜的厚度是逋过分别调 整两个APG的脉冲电瓶放电的次数米控制的。本吱验采用同时蒸镀的其沉积法，使Fe． sn能够充分混合．薄膜的厚度为8nⅢD薄膜中Fe和sn的原f数比被控制存l：12至16：3。为 36 旃懈仝1日纳朱材料‘j躺檎测与点征研讨会(摘要，{爸文!11) 中波2l】08乍7J】2|l一3 r防止sn元素(熔点为232℃)在水活性气体中加热时撩发，特将制桥…的催化刺薄膜柱 cNc根豁的sEM像 成的应力。该cNc的外径为22nm，内径为9nm，在插刚4 入的放大图像上可以观测到和一般多壁碳纳米管一样的消晰的石墨层结构，其层数为 1 9。因此我们把这样的cNc称之为多肇碳纳米线嘲。我们用镊r将基饭上的生成物拨去 得到了如图4所示的独立存在的cNc．根部的局部放夫圈像如插图所示。从嘲中艇现， cNc一端在观测的时候是在摇动的，表现在拍摄jI{的sEM像上的模糊不清，这说明此端 足伸出基板之外的自由端。另一端则艘固定或吸附在基板之J．。线嘲和弘扳之^·J订颗 粒状物．象cNc的根，该颗粒很可能就足该cNc成长的催化刺。也就是说多壁碳纳米线 般外径 州和使用Fc催化剂，F长的碳纳米管一样具有根部成长机理，而小川r嘲l所小的 较太的cwc黼端生长的机理’。伍得注意的是，住cNc根部的瓤粒“径九约为sonm，比 cNc的线径要大得多．这种较大的颗粒和丛扳之州的柏Ⅱ作Ⅲ山坚比小默粒的人，l时且 Fc．sn往较大颗粒中的融合要比小颗粒中弈封，我们认为遮两点址导致多‘t碳纳米线圈成 长的