In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究.pdf

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In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究孙少华邢鹏飞刘卫芳周伟吴萍天津大学理学院物理系，天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室，天津，300072 摘要：本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d0铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外，在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜，其光学带隙及磁性随着氧氩流量比的增大呈非单调变化。当氧氩流量比达到 15:15时导电类型由n型转变为p型。结构、光、电、磁特性的一致变化表明氧空位和铟空位分别在n 型和p型导电区域对调节铁磁性起重要作用。关键词：氧化铟；d0铁磁性；氧空位；铟空位；射频磁控溅射乏主缺陷所引走、)的浓度有所：射谱。虽然存 2“v关系图， }控溅射技术制备了映氧的状态会增强j ：流量比的增大呈jl 构、光、电、磁特 · ThepreparationofIn203filmanditsstudyfromstructure,optic, electricandd0ferromagnetism ShaohuaSunPengfeiXingWeifangLiuWeiZhouPingWu KeyLaboratoryofLow-DimensionalMaterialsPhysicsandPreparingTechnology,Departmentof AppliedPhysics,FacultyofScience,TianjinUniversity,Tianjin,300072 Abstract:Thestructural,optical,electricalandmagneticpropertiesofundopedIn2O3filmsdepositedby radiofrequencymagnetronsputteringwerestudied.Roomtemperatured0ferromagnetismwasobservedin undopedIn2O3filmsandcanbeenhancedbyvacuum-annealing.Theopticalbandgapandferromagnetismof In2O3filmsdepositedatdifferentO2/Arfluxratiochangednon-monotonouslyastheoxygenfluxincreases.A conversionofconductivityfromn-typetop-typewasobservedasthefluxratioreached15∶15.Theconcordant resultsinstructural,optical,electricalandmagneticpropertiessuggestthatoxygenandindiumvacanciesplay crucialrolesinmediatingtheferromagnetisminnandp-typeIn2O3films,respectively. Keywords:oxygenindium;d0ferromagnetism;oxygenvacancy;indiumvacancy;radiofrequencymagnetron sputtering