SiC半导体二维自旋磁极化子能量的研究.pdfVIP

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的研究.pdf

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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 SiC半导体二维自旋磁极化子能量的研究· 李子军1,王子安2,房本英1,李岗1 (1.烟台大学光电学院,山东烟台264005;2.内蒙古民族大学物理系,通辽028043) (2. 摘要:在考虑电子自旋和声子之间相互作用情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究 了电子自旋对SiC内弱耦合二维磁极化子能量的影响。数值计算结果表明:自旋使自陷能 分裂为二,且随磁场B增加分裂间距增大;自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之 比与B无关,恒为0.23;自旋能量与自能之比小于自旋能量与自陷能之比,但非常接近, 其比值随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,其比值分别为0和0.008;自旋能 量与声子之间相互作用能之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分 别为0和l。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧 道器件等。 关键词:SiC;自旋电子学;自陷能;磁场效应;弱耦合 0n of2-D ydutStud]SnEnergyipS inSiC Magnetopolaron LIZi-junl,WANGzi-an2,FANGBen—yin91,LIGan91 (1.InstituteofScienceand for Information,Yantai TechnologyOpto—Electronic University, of for Yantai,Shandong264005,China;2.DepartmentPhysics,InnerMongoliaUniversity Nationalities,Tongliao,InnerMongoHa028043,China) electronandinteractionbetween unitary Abstract:Consideringspin phonons,using transformationandlinear methodstudiedeffectofelectronon combination operator spinenergy of 2一D inSiC.Numericalcalculationis weak—couplingmagnetopolaron below.Spinsplits intotwoandthe increaseswith fieldB.Theratio self-trappingenergy gap increasingmagnetic

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