SiO2介质CMP专用大粒径硅溶胶的研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Si02介质CMP专用大粒径硅溶胶的研究 王娟李薇薇张建新袁育杰刘玉岭 (河北工业大学微电子研究所，300130) 摘 要：为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求，对其抛光液主 要成分硅溶胶的生长进行研究，做了一系列关于硅溶胶生长的实验，在多次的分析比较之 后，制备出了粒径均匀的大粒径硅溶胶。 关键词：化学机械抛光硅溶胶大粒径 The ofSi1icaso1with iC1eSize Study greatpart forthe dielectriCCMP Si02 Juan，LiWeiwei，ZhangJianxin，YuanYujie，LiuYuling Wang of of (InstituteMicroelectronics，HebeiUniversity Abstract：Themost usedCMP andmost iStheSi02 widely process difficulty dielectricCMPinULSI．Si02cannotberemoved Siis byoxidation—reduction，as we water SiO,e from which quadrivalence．Soadoptwater—solubilitygrowingdirectly sizecan 120’130nmto the rate．The ofsilicasol arrive improvepolishing growth isstudiedandtheSilicasolwhose sizescanreach130nmiS particle gained。 size Keywords：CMP，silicasols，greatparticle 引言 介质层的化学机械抛光(CMP)是ULSI技术中的主要课题之一。多层布线技术的开发 同时也是介质层CMP技术的开始f“，介质层主要指SiO。介质层。介质层中的Si已经是最 高价+4价，其化学性质相当稳定，因此难以采用氧化还原反应将其除去，抛光难度较大， 加快介质CMP去除速率的最有效方法是加大研磨料的机械作用。 在CMP工艺的实际调整中，增大抛光压力，采用表面刚性较大的抛光垫，提高抛光液 的pH值，使用硬度大的研磨料或增大原有研磨料的粒径尺寸等，都可以加大研磨料的机 械作用心1。但前三种方法由于受到设备成本、操作安全和物质性能等因素限制，变化范围 tied,，对介质二氧化硅CMP效果的调节不明显。而研磨料的硬度和粒径大小与表面的抛光 质量相关旧1。因此，为得到被抛材料较高质量的表面态，要选择硬度与被抛材料相当、粒 径较大的研磨料，以提高抛光速率。 目前国际上大都采用气相法SiO。来提高ULSI多层布线层间介质抛光速率，但使用此 磨料易造成划伤。因此我们要研究悬浮好、粒度均匀、大颗粒又能保证高质量表面状态的 水溶性SiO。纳米磨料，来解决此问题。 1 SiOz溶胶的研究 1．1硅溶胶的制备 硅溶胶常用制备方法有离子交换法、溶性硅酸盐法、溶胶法、电渗析法和硅粉溶解法 等，综