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单运放辐照后的退火研究 牟维兵 中物院电子工程研究所 摘 一部分采用高温退火方式，LM741采用高温退火方式，经过退火后器件基本恢复辐照前的状态，再经过 Y射线辐照，证实了退火对器件的辐照特性基本无影响． 关键词：单运放，退火，辐照 引言 在辐照试验研究中，经常面临退火问题。有时我们在低剂量率下需要对试验器件进行长时问的辐照 才能达到一定的辐照总剂量，而在长时间的辐照过程中就存在退火的影响；在进行辐照筛选时，辐照后 的器件需要退火后性能完全恢复才能正常使用；在进行某些辐照研究中，器件可能需要重复多次的辐照 ／退火过程。如果对器件的退火特性不清楚，以上试验的结果就是不可靠的。 在退火研究方面，国内的研究还不够深入，一般是采用升高温度进行热退火。国外已对在辐照后的 CMOS器件通过改变电流进行退火的物理过程进行了深入研究‘‘’2’。电流引起的退火是基于在P—n—P—n结 成电路的工作区，闭锁效应的程度由集成电路不同半导体区域的尺寸和电性能决定，同时由外加电压和 微电路接线端的电压决定“’。 为了测量单运放的x射线剂量增强，通常采用同种器件分别进行x射线辐照和Y射线辐照，最后对辐 照结果进行比较分析研究，就可以得到这类器件的相对剂量增强大小。但是这样的结果是粗糙的，没有 考虑个体器件问对辐照响应的差异。如果对同一器件，先进行x射线辐照，退火恢复后再再进行Y射线 辐照，就可以克服上述不足。因此，对退火问题的进一步研究，有利于开展二次辐照类似的相关研究。 一、器件退火的原理 1．1 高温退火 当器件受电离辐射时，射线在器件中损伤能量，电离产生电子一空穴对。有外加电场存在时，电子 很快被栅极收集。而空穴有可能被材料中的缺陷俘获形成空间电荷，或者漂移到器件的Si／SiOz界面形成 界面俘获，形成所谓界面态，图1是MOS受电离辐射产生空问电荷和界面俘获的示意图；无外加电场时， 电子很快游离到材料中间，而空穴则主要形成空问正电荷。辐照的能量越大，产生的空间电荷和界面俘 获就越多。 100k 图1．MOS晶体管受电离辐射影响的略图 图2单运放开环增益测量原理 电离辐射产生的氧化物内俘获空穴在辐射停止后，可与来自硅中电子复合，硅中的自由也可以漂移到界 面附件与界面俘获的空穴复合。这种电子一空穴的复合实际上可以看成足辐射电离作用的逆过程，也就 416 是退火过程。如果半导体硅中的自由电子多，这个过程就越快。材料温度越高，硅外层电子就越容易挣 脱原子的束缚成为自由电子。因此．升高温度可以加速辐射器件的退火过程． 1。2电流退火 通过对辐}{I{器件作用以一定频率交变电场，从外部电路中注入少数载流子到结构中时会发生退火， 量和流经Ic结构交流电注入效应的联合作用。辐射引起的氧化物和界面态电荷得以有效退火。自由载流 子的振荡运动增加了电介质中和电介质一半导体界面上俘获中心受抑制的可能性。自由载流子会将能量 传输到芯片晶格上，特别是有位错的缺陷中心，引起品格振荡』J几剧和局部位移形成。结果，品格倾向于 占据最低的能态和形成更规则的结构．使辐照造成的影响得到恢复。 二、实验 2．1器件测量 研究。在第一种辐熙完成后，对器件进行了退火研究。在第二次辐照时加入相同器件(未辐照)进行比 较。研究退火对器件的影响。 2．2器件参数测量 根据经验，单运放受总剂量辐照后变化最显著的参数是开环增益，因此．我们在实验中自制了单运 放开环增益测量电路，如图2所示。 上图中，一个正弦信号从被测运放的正向输入端进入，输出信号经过分压后从一个辅助运放的反向 端输入，再由辅助运放的输出短反馈到被测运放的输入端。由图中的参数可知， △，：业 (1) R+RF 州D)=等=等=1000等 (2) 规定外加正负电源，外接相位补偿网络，防止自激发生。用示波