基于BiCMOS技术高速数字%2f模拟转换器研究.pdfVIP

2005年I1月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 基于BiCMOS技术高速数字／模拟 转换器研究 刘道广李荣强石建刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟恰舒曼徐婉静徐世六 (国家模拟集成电路重点实验室，中国电子科技集团电子24所， 重庆400060) 摘 要：本文基于BiCMOS技术，开展了高速数字／模拟转换器研究。以并行输入类型，电 流工作模式的16位D／A转换器位载体，开展了电路设计，工艺制作和测试；在±5．0v工 作电压下，测试得到转换速率≥30MSPS，建立时间50ns，增益误差±8％FSR，积分非线 性误差i／2LSB，功耗500mw。 关键词： 数字／模拟混合电路双极BI／CMOS兼容工艺 1．引言 进入“数字时代”以来，最能代表数字／模拟混合电路发展水平的高速高位A／D、D／A 新结构新技术研究取得重大突破。主要包括∑一△、全并行、折叠式和流水线等A／D新结 构，分段电流源拷贝、同步译码锁存等D／A新结构。研制高速数字／模拟转换器的工艺技 逐步蚕食了以双极工艺为主的模拟集成电路的领域。但在以CMOS技术为主流的VLSI电路 发展中，由于借鉴了高度发展的CMOS电路制备的工艺技术，双极型技术仍然保持着旺盛的 生命力。如果将双极型与CMOS结合形成BiCMOS技术，使两者的优点得以充分发挥。在 BiCMOS工艺的集成电路中，双极器件实现高速度、高精度、低噪声、低失调和高功率驱动功 能；CMOS器件实现低功耗、高输入阻抗、高集成度。BiCMOS工艺的种类繁多，功能强大。可 广泛应用于高性能数字／模拟混合电路如：放大器、锁相环、频率合成器、驱动器、RF发 射／接受器、ADC／DAc、ASIC，也可应用于纯数字的超大规模集成电路如：存储器、门阵、 HBT CPU等。最新的报道是应用于无线通信领域的0．2岫SiGeBiCMOS工艺晗-81。在国内， 以BiCMOS技术基础，数字／模拟混合电路还很落后，因此采用2．OPmBiCMOS工艺，开展数 字／模拟混合电路研究是非常必要的。该工艺特征包括减压薄外延，高压氧化等平面隔离， 可修调SiCr电阻，双层金属布线，12次离子注入，21次STEPPER光刻。NPN的特征频率 fT为4．OGHz,CMOS管的栅氧化层为30nm，耐压为12．0V。 2．16位D／A转换器电路设计 2．I 电路结构设计 16位D／A转换器是高速、高精度模拟集成电路，其结构为两段(4+12)差分输出电流 式结构，其高位是单位电流并行结构，低位是R-2R电阻网络结构，其功能框图如图l。研 究高位电流并行结构与R-2R电阻网络结构的衔接，达到高精度指标是结构研究的重点。 该结构包括4—15温度计译码、数据同步锁存、R一2R电阻网络、单位段电流开关、电平位 移电路、2．5V高精度基准源、基准电流控制放大电路和时钟控制等关键单元电路，从电路 结构设计和电路设计上进行研究，重点研究电平位移电路、电流开关结构、2．5V高精度基 准源是研究的重点。由于篇幅的限制，重点简绍高精度基准源的设计。 2．2 高精度BiCMOS基准电流源设计 基准电流源如图2．所示，该基准源采用BiCMOS齐纳反馈稳定精度补偿基准电压，标 准输出2．5V的电压。能够承载5mA(典型值)一15lnA(最大值)的电流。它采用一个输出 ．．90．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 1．25V的核心电路再经放大得到2．5V的电压输出，该核心龟路采用改进的两管能隙基准源 电路。 ‰ {1 b醚一《州酶 嶝|F訇l精 广1]i {j}1．两}奶： }{{1 40|1旷 蹦k