纳米线量子点、量子环分子束外延生长研究.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S4-6 纳米线量子点、量子环分子束外延生长研究1 * 查国伟, 牛智川, 李密锋, 喻颖, 王丽娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥 中科院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083 *通讯作者：电话/传真：010 邮箱：zcniu@ 近年来，采用分子束外延生长III-V 族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电 器件和量子物理研究领域的热点。纳米线生长动力学、相位控制、定位生长、组分与能带调 1 控、掺杂及复杂形貌优化等是实现纳米线器件应用和拓展功能的关键研究课题 。其中一个 2-3 重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子点 、量子环等结合，不仅能够极 4 大地改善纳米线光电特征 ，而且还可能产生新奇量子效应。在GaAs 衬底上采用液滴外延 5 生长的GaAs 量子点、量子环 等采用了较低的淀积温度，其光电性能不理想。这种自组织 量子点（环）纳米结构难以控制密度与位置，限制了其在量子器件中的应用。 本文在分子束外延生长GaAs 纳米线实验中，采用淀积Ga 液滴在纳米线侧壁生长出量 子点、量子环、量子双核等新奇结构，通过SEM 及微区光谱测试研究了其液滴应力诱导成 核生长机制、形貌和密度控制优化参数，及其机械与光学性质。 外延样品采用Veeco Gen II 分子束外延设备生长。纳米线主干采用镓液滴自催化在含有 15 纳米厚的 SiO2 层的 GaAs （001 ）衬底上生长。GaAs 生长速率0.7µm/h，温度630℃， V/III 分压比13，生长时间60min 。在纳米线末端采用高As 压处理顶端残余的镓液滴以抑制 纳米线的继续生长。然后在低 As 压下对镓液滴进行晶化处理 （图1）。外延样品分别进行 SEM 和77 K 微区光谱测试。 图1 纳米线量子结构示意图 结果与讨论：SEM 图像如图2 所示。实验表明，采用不同的生长温度和的As 压，可以 有效控制纳米线侧壁上由镓液滴淀形成的量子结构的形貌。在相同的温度条件下，通过改变 As 压，分别获得了量子点（图2a ）、量子微孔（图2b ）、量子环（图2c ）等不同形貌。在镓 液滴晶化过程中，As 压影响了镓原子的迁移长度，边界与中心部分晶化速率不同，决定了 形貌的差异。此外，在相同As 压下，通过降低淀积温度，可以增加单根纳米线侧壁的量子 结构的数量 （图2d ），并出现了少量耦合量子双环结构。如图2e 所示。 对图2c 的纳米线量子环样品（含Al0.75GaAs 覆盖层）进行了液氮温度下的微区光谱研 究。其变激发功率光谱结果如图3 所示。1.51eV 峰为GaAs 纳米线发光，1.68eV 单峰来源 于GaAs 量子环。随激发功率的增加，半高宽增加了1-6meV 左右，同时高能端激发态也逐 渐显现。 1 国家自然科学基金61176012 ）、科技部973 计划（2012CB932701,2013CB933304 ）资助课题 60 MBE2013 口头报告 S4-6 图2 镓液滴不同的淀积温度与As 压下的SEM 图像 图3 77K µPL 测试结果 总之，我们在纳米线量子结构外延实验研究中，发现通过调控外延温度和As 压，液滴 等参数，可以实现纳米线中量子点、量子环等量