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同质非有意掺杂4H—SiC外延研究 韩征，张玉明，张义门，王悦湖，贾仁需 (西安电子科技大学微电子学院；宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) 摘要： 面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C．v 法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1．2x1015cm-3。对其无意掺杂的晶 片进行初步分析，其厚度的均匀度都2％． 关键词：4H．SiC；同质外延；SEM；C．V测试；非有意性掺杂；均匀度 1前言 由于碳化硅的气相外延一般都采用石墨加热器，通过感应加热方式，因而反应气氛中的石墨件 中残留的氮气会因为加热而从石墨件中逸出到反应气体中，对外延生长产生影响。所以实际生长中 采用的石墨件一般都镀有保护层，本实验所有的设备所镀的保护材料为碳化钽…。非有意性掺杂的 碳化硅外延层一般都是含有N施主，呈现N型。由于N在碳化硅中取代的是C的晶格位置，外延 层中N的浓度对反应气氛中的丙烷浓度反应十分明显，这个效应称之为“位置竞争”[2-31。可以采用一 种改变C／Si比方式，使外延层中的N含量下降一定程度[2．41。相比之下，碳化硅的外延基本上是一 种受到硅烷流量的限制的生长过程，可以说非有意性掺杂外延层的N掺杂浓度主要受到了硅烷的流 量的影响【2’5一。外延层的厚度均匀性主要受到反应气流均匀性还有就是温度梯度的影响，反应气流 的均匀性可以通过基座的旋转【7】使晶片表面更好地与反应气体接触；温度的均匀性可以由加热线圈 和基座所放位置的调整，使晶片所在范围的温度梯度变化最小【3J。 实验结果基于水平热壁带有基座旋转的CVD系统。观察了生长晶片的厚度，均匀度和非有意性 掺杂浓度在标准工艺条件下的实验结果。 2实验 CVD系统由Epigress公司生产，可以用于研究或者商业。该系统可生长N型或P型外延材料， 其基座和基座固定物采用高纯石墨材料并镀有碳化钽，可以同时生长3片50mm晶片或一片75mm 或一片100衄晶片fll。一个钯单元的净化器提供纯净的氢气作为载气，硅烷和丙烷被稀释后进入反 应室作为反应气体。氩气作为一个打开或者关闭反应室的清洁气体并且是驱动基座旋转的气动源。 反应控制和数据的收集相关参数都是通过电脑软件中的使用者的成图界面(GⅥ)来操作和观察。 mill 实验用衬底为SiCrystal公司提供的50 1208。晶片。 4H．SiC(0001)Si面偏NI 0IIm。 反应温度1500～1600C下，再通入硅烷进行生长，生长时何大概在2小时左右，生长厚度约l 史验反应的基本参数列于表1。 裹I实验反应基本参数 3实验结果 生长出柬的晶片，通过SEM拍照，其放大1t)00倍的照片(见阿1)，发现表面基本上看到不到 }E较明显的缺醋以及我们最关注的徽管缺陷，只彳『少数品片的边缘部分能观察到少量微管缺陷，其 密度在一个可以接受的范圈。对图1扫描的晶片任取一点进行5000倍SEM拍照(见罔2)．发现有 3个黑点，其中2个较大，但是从SEM井水能看出黑点是凹陷还是凸出的。对晶片进行AFM扫描． 作进一步观察，研究黑点是缺陷还是杂质的残留痕迹。整体而言，生长的晶片表面质量比较好， 圈I i000倍SEM照片 圈25000倍sEM煦片 对晶片进行FTlR．确定外延层的厚度和均匀性进行分析，可以得到外延层生长均匀性的结果。 采用图3所示的“+”型9个测试点引算晶片的厚度和均匀度。所有外延层的厚度都在l(]um左右，外 99％，I74％，I 延生长的速率在5um／a，外延层均匀度分别为1 32％等。从均匀度的数据可以知道， 生长的晶片其均匀度都小于等于2％。这是一个比较理想的结果，崮为厚度的均匀度的偏差越少，其 对以后器件制造的影响就越少。