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中国电子学会敏感技术分会电压敏第十一届学术年会暨海峡两岸首届技术研讨会专刊 Varistor 应用田口式实验计画法研究低压ZnO 林居南博士，吕建勋经理 (舜全电子股份有限公司) 利用田口式实验计画法来研究配方组成参数对低压氧化锌变阻器的影响，结果找出最佳化 波后的位移量小于1％。 1 简介 氧化锌变阻器具有优异之突波吸收能力及高的非线性指数，已被广泛应用于各种电子产品 及线路的保护。近年来，由于产品的低压化持续进行，因此对低电压保护零件的需求也持续增加 中，例如一辆汽车大概会使用30～40个22V的低压氧化锌变阻器来当保护零件。 相关研究显示单一晶界的氧化锌变阻器崩溃电压约3．2V，和材料配方及制程无关。因此，要 制造低压氧化锌变阻器的方法为控制两金属电极间只有极少数之晶粒，利用 Vl。A=nVg (1) Varistor)、厚膜 来控制组件的崩溃电压。目前制造低压变阻器的方法共有积层变阻器(Multilayer film 变阻器(Thick 胚机械强度及工作性，组件的生胚厚度至少要在O．6mm以上，如此，生胚经烧结后的晶粒尺寸， 大概会达到100¨m以上。虽然，配方中加入Ti02，利用液相烧结理论，可使组件的晶粒大小达 100仙m以上，但组件在实际使用时，因为产品为K规格，即低压产品在厚度方向的晶粒数目，大概 只能正负一个的差距，否则产品的生产良率将会降的很低。这也意味在制造低压变阻器产品时， 需要设法使组件的晶粒尺寸大又均匀。 田口式实验计画法自从1980年代发明以来，已被证实是一种最经济的实验方法，广泛应用 于新产品开发、制程改良即良率提升等方面。本研究的目标即是想运用田口式实验计画法来开发 and 适合低电压规格(18 22V)的氧化锌变阻器，利用田口式实验计画法的直交表来设计实验，进 而找出最佳化配方参数，提升低压变阻器组件的产品特性，顺便评估该配方的制程良率。 2 实验方法 由于低压氧化锌变阻器的配方中，有关配方组成的部分共有原料来源及各种添加剂组成需 ‘ 一14一 中国电子学会敏感技术分会电压敏第十一届学术年会暨海峡两岸首届技术研讨会专刊 被考虑。若要对整个配方组成做比较详细的研究，则相关变量相当多。考虑生产时的实际状况，本 实验共设计下列数个变量：氧化锌纯度及含量和添加剂：钴、锰、铋、镍、钛及锑等8个变量。为了 将各个变量均可放入研究中，同时考虑做较详尽的研发，每个变量选择3水准来研究，故在选择 直交表时，我们选择L18的实验，即L18(21六37)，详细实验规划如表一所示。 表一L18实验之直交表 其中 l：低纯度或低添加量 2：高纯度或中添加量 3：高添力u量 将氧化锌及各项添加剂按照表一配方组成的称重，加入粘结剂后，以陶瓷组件标准制程作成 变阻器组件，又因后续还量测组件的突波吸收能力(surgewithstanding coating)等过程，制作成完整的产品。接着对产品进行各项电 经焊脚(soldering)及树酯涂装(epoxy Volt． 两端的电压降伏，由于这项测试结果和组件的崩溃电压有直接密切的关系，为降低组件崩溃电压 值的影响，因此以组件抑制电压与崩溃电压的比值来表示，即Vcp／V1mA。又突波耐量同样以8／ 20斗sec波形的雷击波来测试组件，测量组件经过雷击波后，崩溃电压位移量为10％时的最大突 波电流值。