用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究.pdfVIP

S8 用退火法重置、自旋阀材料钉扎方向的研究 用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究 李健平1．一，钱正洪1．-，白茹1，孙字澄” (1．杭州电子科技大学磁电子中心，浙江杭州310018；2．四川大学材料科学与工程学院，四川成都610065) [摘要] Pa)环境下，对在相同条件下制备的自旋阀材 磁保持不变，制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9．30％。在245℃的真空(10’5 kOe。用四 kOe，3koe，5koe，7 料样品在恒定外加磁场下退火2h，退火磁场方向与自由层易磁化轴垂直，退火磁场大小分别为l 探针法测试了退火后材料的磁电阻曲线。实验发现，当退火磁场为5koe时，自旋阀材料的钉扎方向完全转到与自由层易磁化轴 垂直的方向，并且保持了退火前的的巨磁电阻率。当退火磁场增大为7kOe时，退火后自旋阀材料的巨磁电阻率增大到10．19％。 {8l} 厶 [关键词]coFe／Ru／coFe，自旋阀，退火 ⑦ 蘸 [中图分类号]TB34[文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2013)增刊2—0083—03 ● 诔 型 O前言 l 试验 ¨ 自1991年B．DieⅡy在NiFe／cu／NiFe／FeMn自旋阀结构中利用高真空磁控溅射设备Nordico9606在6英寸si0：／si 发现了巨磁电阻效应后，自旋阀结构多层膜的研究倍受关 nm／NiFe4．0nIn／CoFel．0n瑚／Cu 衬底上沉积了具有NiFeCl4．5 注㈡。自旋阀结构多层膜具由于具有高灵敏度、低饱和场，被 2．15nm／CoFb2．2nm／Ru0．925nH∥CoFb2．0nrn／IrMnl2．O 广泛应用于读写磁敏传感器~2“。、磁头。5。1、磁电信号隔离耦nm／Ni—Fe．Cr5．0nm结构的自旋阀结构多层膜，其中以NiFecr 合器件‘8“驯等磁电子器件中。自旋阀材料中的交换偏置作用 作为缓冲层和覆盖层，IrMn作为钉扎层，被钉扎层是人工合成 及其机理仍然是自旋阀材料研究中的一个关键问题。交换偏 置指的是铁磁／反铁磁双层膜中存在的界面交换祸合现象压。 在溅射过程中，诱导磁场的方向不变，这样使得诱发的自由层 当铁磁／反铁磁双层膜在一定大小的磁场中冷却到反铁磁层的 易磁化轴与钉扎方向相同。为了保持样品初始条件的一致性， 尼尔温度以下时，其界面自旋会形成有序排列和紧密耦合，从 在沉积好自旋阀材料的硅片上相互邻近的区域取样。各组材 越臂慑护 而铁磁层磁矩被钉扎在固定方向(钉扎方向)。传统结构自旋 料在退火前的磁电阻率大小均介于9．20％一9．36％，为了便 阀材料的交换偏置场比较小(500—600Oe)，为了获得交大的 于分析比较，本文中将材料退火前的磁电阻率统一近似为 ¨ 交换偏置场一般采用人工合成反铁磁结构CoFe／R