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直径4”InP单晶生长研究 孙聂枫杨光耀陈桑克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华 谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年 信息产业部电子第十二：研究所河北省石家庄市179信箱．050051 捕要InP单品材料作为最重要的化合物半导体材科之一．由于其本身具有的优越特性，使其在光纤通信、徽渡、毫米波、抗辐 射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用．由于InP基的光电器件、微电子嚣件近些年发展十分迅速，所 以各主耍发达嗣森普追加强了对大A径、岛质量[nP单晶材料研究的投入．以保证可靠的衬底来源．九十年代末夔园、日本率 先生长出4英寸lnP单晶，而我国还停留在2--3英寸的水平上，为了与国际领先水平看齐我们也开展了4英寸InP单晶生长的 研究．为进行更好的晶体生长工作抖到优质的太尺寸lnP单晶．对关系实验成败母关键因素的热场设计进行了专最实验研究． 晶体直径一旦加大撮易在晶体生长吐氍中出现孛品．而且随着晶体直径的加大，位错密度也呈指数倍增加．所以为提高晶体质 量。提高晶体成晶率．主要克服的址半品的H{现和阵雌位错密度．通过对原有热场和生蚝工芑参数，疗改进．并探讨了港免大直 径单品生长岛生成辛晶的机理，提出了越免loo品向品体生长时事晶出现的模型．通过多次试验，终于成功地在内径为129ram 的jl}埚中生长出Ioo-104ram(4英寸)‘111)、《100品向、经键InP单品．继而在内径为l50ram的坩蜗中重复生长出105一 114ram大直径，低位铺密度、七掌,Ill(少中品)的优质100品向、整锭InP单品材料．奉工作的开展使我们在夔、日后不久 成为世界上第三千掌盈4英寸InP啦品生K投术的围家．使我们单晶生长工艺选到了世羿领先水平．我们青信心在不久的将来 将4甍寸商质量[nP单品成熟化，予取在未来们阐际m场占彳j一席之地． nP是战略性的、#导体材料，在光通信、毫米波高频、低噪声、宽带微电子、光电集成 等领域具有重要的作川。冈此InP已经发展成与GaAs并重的化合物半导体材料。现代通 信对宽带的爆炸性增艮需求正成为InP器件飞速发展的原动力。据报道InP技术将成为新 一代通信系统中最抢手的技术，到2006年时，InP产品市场规模将超过5亿美元。未来4 年内全球通信芯片市场规模约达26亿美元，而lnP将在其中扮演重要角色。尽管当前InP 仍有若干技术问题待解决，但在40Gbps网络及第三代移动电话(3G)的推波助澜下，未来4 年该技术将快速发展，来米10年与之相关的产品市场规模更可望达到数十亿美元。因此发 达国家从80年代起加火了对InP材料研究、生产的投入力度。InP材料目前主要还在军事 上有非常广泛的用途。美国国防部1997年专门设立Tittle III计划投资790万美元扶植M／A 腻。日本住友、昭和电气和矿冶等大公司也有专门计划推进lnP的晶片和大直径晶体的生 眭研究。2001年日本住友公司和昭军|f电气公司分别投资超过1500万美元发展InP单晶材料 和器件。英国贸工部从1994年给MCP公司F达了为期18个月的攻关任务，发展InP单晶， ·49· 1996年其发表了3英寸单晶样品。国内在InP材料的研究已有20多年，但是总体水平仍处 在实验室研究阶段，2--3英寸lnP单晶生长工艺有待进一步提高、成熟。并且我们应该自 主开发4英寸InP单晶生长一l：艺和更火尺寸单晶生长的研究，以适应新的国防需求。 因此我们开展了大直径InP单晶材料的研制工作。通过技术攻关，集中解决了以下关 键技术： ● A．3Kg快速高纯多品合成技术 lnP由于自身离解压高，需要在高温高压下进行台成，为了进行3英寸、4英寸单晶生 K．并且为提高效率和保证原料充足，决定开震3Kg以上高纯多晶合成。使用自己发明的 原位直接合成技术，依据磷的相闰．逐渐增加磷源炉的输入功率，使红磷以适当的速率汽 化注入到铟爆体内。在InP的熔点温度(1335K)附近，磷和铟发生反应，合成得到不同化学 计颦比的InP熔体。台成结求斤彳，引入籽晶进行LEC晶体生长．合成过程中铟熔体对磷的 吸收速率决定着磷的注入速率，经研究化学反应速度及热力学平衡问题，合成时熔体的温 度高低直接决定铟熔体对注入磷的吸收效果，据近似计算，温度每