镁铝尖晶石透明陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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竺望竺璺三兰竺竺兰翌壁兰塑竺兰垦竺兰竺竺兰I一镁铝尖晶石透明陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜研究廖华1，2林理彬2刘祖明1 李景天1 刘强2 陈庭金1 许颖3 1云南师范大学太阳能研究所，昆明，650092 2 四川大学物理系，辐射物理及技术国家教育部重点实验室，成都，610064 3北京市太阳能研究所，北京，100083 TnermalChemical 摘要：本文以镁铝尖晶石透明陶瓷为衬底，用RTCVD(Rapid Vapor Deposition)沉积制备了多晶硅薄膜，制备的薄膜均匀致密，研究了薄膜的性能和生长机理。在不同的沉积温度备件下所制备的多晶硅薄膜均表现为明显的择优取向，其择优晶向为(220)。在高温条件下，薄膜以层状的形式生长；薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增大。高温条件下获得了48．22cm2／(V·s)的迁移率。关键词：镬铝尖晶石透明陶瓷多晶硅薄膜性能 × this thinfilmswith structurehavebeenobtainedon Abstract：In paper，Poly-Si compact ceramicsubstrateRTCVD．Performanceand mechanismof MgAl204transparent by growth thin atdifferentsubstrate thinfilmwere filmswere Poly—Si studied．Poly—Si deposited showthatit has oriented onthe temperature preferentialgrains MgAl204transparent the in thinfilmswith ceramic，and orientation preferential the(220)direction．Poly—Silayer structurewere of observed，at mobilityPoly-Si growth highdepositingtemperature．The thinfilmsincrease，when thinfilmswith depositingtemperatureincrease．Poly—Si mobility of48．22cm2／(V·s)wereat depositedhighdepositingtemperature． ceramic thinfilms g Poly-Si pedormance Keywords：Mgal2transparent 众多的CVD沉积方法中，RTCVD有其许多优