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2第霉5全国博士生学术论坛
硅材料场致等效二阶极化率张量的研究
刘秀环，陈占国，贾刚，张晓婷，张玉红
(吉林大学电子科学与工程学院， 长春130023)
摘要：具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失，因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。本文从
理论上根据矢量与张量的作用，利用z孚=z伪·E这一关系和张量变换理论系统地阐述r硅材料在内建电场或外加电场的
厂一 1
110
作用下，产生等效的二阶极化率，具体地在方向分别沿【11l】、l l和【ool】的电场作用下，得到的等效二阶极化率张
L J
量z辔分别与C3，、C2，和C4，点群的二阶极化率张量具有相同的形式，说明在物理性质方面，硅的对称性由D^群在相应
方向电场作用下分别被降低为(五，、c2，和C4，群，因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质：提出了电场E沿
任意方向时硅的等效二阶极化率张量蟛的计算方法，对研究硅材料及其它具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性
质实验具有指导意义。
关键词：非线性光学；双光子响应：等效二阶极化率张量；倍频吸收；双光子吸收
中图分类号：0437：0732+．1：0734’．1
ResearchonEffectiveSecond—Order Induced
Susceptibilitiesby
Electric—-FieldtoSilicon
Applied
LIUXiu-huan，CHEN
Zhan—guo，JIAGang，ZHANGXiao-ting，ZHANGYu—hong
ofElectronicScienceand
(College Engineering，
Jilin 130023，China)
University,Changchun
isakindof effectiveeven-ordernonlinear
Abstract：Electric—fieldtosilicon，which materials，induces
applied centrosymmetric
forsiliconduetothe ofitsinversion this tensorsofeffectivesecond-order
susceptibilities vanishing symmetry．Inpaper’the
andtens。rtransformat／on
silic。nare studied tothe whenthe
susceptibilities。fsystematicallyaccording
theories。f蟛=z阳·E
directionsofthe electricfieldsort11ebuilt—infieldsinthebulkofsilicon a
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