铁电存储单元MFIS%2fMFMIS的制备、特性及建模.pdfVIP

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铁电存储单元MFIS/MFMIS的制备、特性及建模 中文摘要 摘 要 本文研究了非破坏性读出(NDRO)铁 电存储器任eRAM)存储单元 MFIS/MFMIS的制备,特性及建模。 . 本文采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS/MFMIS结构的新 模型,并通过合理的近似得到了MFIS/MFMIS单管单元的阂值电压新的 解析模型;在考虑MRS结构中铁电层上的分压和沟道位置的关系的基础 上,进一步得到相应的C-V和IN 曲线。分析表明,闽值电压解析模型 的近似误差很小,分析闽值电压解析模型表明铁电材料的介电常数越低, 电滞回线的矩形度越好,MFIS/MFMIS的存储特性越好。对C^-V曲线 相应的物理过程的分析表明,工作频率以及电滞回线是否饱和对C-V 特性有较大影响,而C-V窗口和MRS结构存储特性密切相关。对I- v曲线的分析表明,在器件和电路结构设计时,Vg不宜太大或太小,Vd, 越大越有利于MFIS结构不同存储状态的区分。 . 结合现有的实验条件,确定了具有静电保护电路的MFIS/MFMIS单管单 元阵列的工艺制备流程。并最终制备得到了Pt/PZT/Si02(50nm)/Si结构 的单管单元阵列,以及Pt/PZT/SiO,(50nm)/Si和Pt/PZT/Si02(100nm)/Si 电容结构。 . 通过测试Pt/PZT/SiO2(50nm)/Si单管单元阵列工一V特性,表明所制备单 元具有存储特性,在写入电压为++15(逻辑 “1”状态)和一20V(逻辑 “o 状态)下,读出电压为Vg=7V,V,}=IOV时,1”状态和0”状态的电 流-T差可至0.36mA;实验结果和模型结论相吻合。对MFIS电容结构的 C-V特性测试,研究不同工作电压,不同的介质层厚度对MFIS/MFMIS 的C-V窗口的影响,和MFIS/MFMIS新模型的结果相符. 关键词:不挥发存储器,铁电存储器,MFIS,MFMIS,模型 中图分类号:TN403 陈园琦 第 I页 2004.5-2s 铁电存储单元MFISIMFMIS的制备、特性及建棋 英文摘要 Abstract Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS)/metal-ferroelectric-metal-insulator -semiconductor(MFMIS)isthecorecellofnondestructivereadout(NDRO)ferroelectric randomaccessmemory(FeRAM).Itsfabrication,characteristicsandmodelwerestudiedin thispaper. . AnewmodelofMFIS/MFMISisobtained,basedonphysicsandmathematicalanalysis AndanewanalyticalmodelofMFISthresholdvoltageisobtained,basedonreasonable assumptions.CorrespondingC-VI-Vcurvesarepresentedfurther,勿consideringthe relationbetweenthevoltagedroppedonferroelectricfilmandchannelposition.Analysis showsapproximateerrorissmallinthisanalyticalmodel,anditisindicatedfromthe thresholdvoltagemodelthatthelowerdiel

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