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第十六詹全国化古物半习咋‘、饿波嗣l件和光电ll件掣诛喀叶叉
投韬分类号:ED
I GaN/GaN
纳米沟道阵列A HEMTs研究
刘胜厚1~,蔡勇1,王金延2,林书勋2,曾春红1,时文华1,
张宝顺1
(1中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。苏州215125
2北京大学微电子所,北京100871)
摘要:我们采用电子柬光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AIGaN/GaNHEMTs。普通结构器件的阈值电压在一3.65V。
而沟通宽度缩小筝66nm的纳米沟通阵列器件的闻值电压偏移到.1.35V,倡移琏达到2.3V。通过系统性的实验研究,我们还迸4
步证实存纳米尺度卜(~几白纳米以内)闻值电捱与沟道宽度‘曼现明显的相天性。这意味看。可以通过调锆纳米沟道阵列中沟
道的宽度在同一外延片上同时制造出具有不同阈值电压的AIGaN/GaNHEMTs,将为单”集成设计带来板大的.疋酒rI!。兄‘个
值得沣怠的实验结果是,纳米沟道阵列的引入没有对栅极泄漏电流的特性产生负面的影响,一定程度上消除了人们对该种器件
实用化的部分疑虑。
关键词: GaN.瑚蕊fr,纳米沟道阵列,阈值电压
中蚓分类号: 文献杯识码: 文章编号:
oftheNaDO.ChannelAIGaN/GaNHEMTs
Investigation Array
ShenghouLiul一,YongCail,JinyanWan92,ShuxunLm‘,ChunhongZen91,WenhuaSiftl,
Baoshan乞hang‘
dSuzhouInslltute and 215125,China
ofNano.techNano.btomcs,ChlrleseAcademyofSciences,Suzhou
J
ZlnstWute 100871.Chma
ofMwroelectromcs,PekingUmversIty,Beqmg
AlGaN/GaNHEMTs e-beam and threshold
Abstract:WefabricatedtheNano.ChanneI dry
Array byusing lithographyetching.1rhe
ofanAIGaN/GaNHEMrs thesame de~ieewith66rimehannelshowsa threshoId
voltage is.3.65V.however,onsample,the array
alsoconfirmthatunder
of-l35V,thethreshold reaches2.3VThe nano-meter
voltage voltage印all systematicalexperinlents
hundreds thresholdofAIGaN/GaNHE.Mrshowsa withthechannelwidtlL
scale(一severalnm).the voltage strongrelationship implying
that couldhaVesmart forMMICwithdevicesofd
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