纳米沟道阵列AlGaN%2fGaN+HEMTs研究.pdfVIP

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第十六詹全国化古物半习咋‘、饿波嗣l件和光电ll件掣诛喀叶叉 投韬分类号:ED I GaN/GaN 纳米沟道阵列A HEMTs研究 刘胜厚1~,蔡勇1,王金延2,林书勋2,曾春红1,时文华1, 张宝顺1 (1中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。苏州215125 2北京大学微电子所,北京100871) 摘要:我们采用电子柬光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AIGaN/GaNHEMTs。普通结构器件的阈值电压在一3.65V。 而沟通宽度缩小筝66nm的纳米沟通阵列器件的闻值电压偏移到.1.35V,倡移琏达到2.3V。通过系统性的实验研究,我们还迸4 步证实存纳米尺度卜(~几白纳米以内)闻值电捱与沟道宽度‘曼现明显的相天性。这意味看。可以通过调锆纳米沟道阵列中沟 道的宽度在同一外延片上同时制造出具有不同阈值电压的AIGaN/GaNHEMTs,将为单”集成设计带来板大的.疋酒rI!。兄‘个 值得沣怠的实验结果是,纳米沟道阵列的引入没有对栅极泄漏电流的特性产生负面的影响,一定程度上消除了人们对该种器件 实用化的部分疑虑。 关键词: GaN.瑚蕊fr,纳米沟道阵列,阈值电压 中蚓分类号: 文献杯识码: 文章编号: oftheNaDO.ChannelAIGaN/GaNHEMTs Investigation Array ShenghouLiul一,YongCail,JinyanWan92,ShuxunLm‘,ChunhongZen91,WenhuaSiftl, Baoshan乞hang‘ dSuzhouInslltute and 215125,China ofNano.techNano.btomcs,ChlrleseAcademyofSciences,Suzhou J ZlnstWute 100871.Chma ofMwroelectromcs,PekingUmversIty,Beqmg AlGaN/GaNHEMTs e-beam and threshold Abstract:WefabricatedtheNano.ChanneI dry Array byusing lithographyetching.1rhe ofanAIGaN/GaNHEMrs thesame de~ieewith66rimehannelshowsa threshoId voltage is.3.65V.however,onsample,the array alsoconfirmthatunder of-l35V,thethreshold reaches2.3VThe nano-meter voltage voltage印all systematicalexperinlents hundreds thresholdofAIGaN/GaNHE.Mrshowsa withthechannelwidtlL scale(一severalnm).the voltage strongrelationship implying that couldhaVesmart forMMICwithdevicesofd

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