Na含量对Cu(In%2cGa)Se2陶瓷靶材烧结性能影响的研究.pdfVIP

第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 Na 含量对 Cu(In,Ga)Se 陶瓷靶材 2 烧结性能影响的研究 李晓龙，庄大明，赵 明，刘 江，谢 敏， 曹明杰，欧阳良琦，郭 力 （清华大学材料学院，先进成形制造教育部重点实验室，北京100084） 摘 要 ：采用热压烧结 Cu Se、In Se 、Ga Se 、NaF 混合粉末的方法制备了具有不同 2 2 3 2 3 Na 含量的 CIGS 四元靶材。研究了Na 含量、烧结温度对靶材密实率、形貌、晶体结构 和烧结缺陷的影响。结果表明，在不同烧结温度下靶材都具有黄铜矿相结构，随着烧结 温度的高，靶材密实率明显高。同时高 Na 含量增大了烧结缺陷的产生趋势，当 Na 含量（NaF/CIGS mole% ）达到 1.0%，靶材容易出现分层缺陷。在烧结温度 900， Na 含量 0.2% 的条件下获得了最高密实率 96.41%的CIGS 靶材。 关键词 ：铜铟镓硒；陶瓷靶材；NaF 掺杂；热压烧结 1 引言 等优势。 CIGS 薄膜太阳电池具有光电转化效 本文采用热压烧结 Cu Se 、In Se 、 2 2 3 率高，性能稳定等优势而成为最具潜力的 [8] Ga Se 、NaF 粉末的办法 以获得高质量 2 3 光伏电池[1,2] 。根据研究，Na 具有钝化 含 Na 的 CIGS 陶瓷靶材，考察了烧结温 [3] CIGS 缺陷等作用 ，通过在 CIGS 吸收层 度、压力、Na 元素含量对靶材密实率、结 中添加一定的 Na 元素可以有效高电池 构、形貌、缺陷产生的影响，获得了最高 [4] 性能 。目前，Na 元素的加入方式主要有 密实率 96.41%的CIGS 靶材。 玻璃中Na 的自发扩散和制备含Na 前驱层 2 实验方法 [5] 。但这些方法分别存在 Na 元素的加入 采用行星球磨的方法对 Cu Se、In - 2 2 量难以精确控制、Na 元素分布不均匀等问 Se 、Ga Se 、NaF 粉末进行球磨混合。粉 3 2 3 [6] [7] 题 。基于直接溅射CIGS 靶材的方法 ， 末 成 分 为 Cu/(In+Ga)=0.92 ， 本文出在靶材中原位添加 Na 元素，制 Ga/(In+Ga)=0.28[9] 。NaF/CIGS 的摩尔百分 备具有确定 Na 含量的 CIGS 陶瓷靶材。 比分别选定为0.0%、0.1%、0.2%、0.5%、 后续通过直接溅射靶材的方法可获得含 1.0%和 2.0% 。球磨工艺：球粉比4:1 、球 Na 的CIGS 薄膜。该方法具有成分控制精 磨介质乙醇、球磨转速 400r/min 、球磨时 确，Na 分布均匀，不增加溅射工艺复杂性